时间：2025/5/26 11:17:41
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AZ5125-02S 是一款高性能的低噪声放大器 (LNA) 芯片，广泛应用于射频通信系统中。该芯片采用了先进的硅锗 (SiGe) 工艺制造，具有卓越的增益性能和低功耗特点。其设计旨在满足无线通信、卫星接收以及雷达系统的严格要求。通过优化的电路架构，AZ5125-02S 提供了出色的线性度和稳定性，适用于高频段应用。
工作频率范围：3.4 GHz 至 4.2 GHz
增益：25 dB
噪声系数：1.2 dB
输入回波损耗：-12 dB
输出回波损耗：-10 dB
最大输出功率（1 dB 压缩点）：18 dBm
电源电压：5 V
工作电流：120 mA
封装形式：QFN-16
AZ5125-02S 的主要特性包括：
1. 高增益与低噪声系数，确保信号质量。
2. 支持宽带操作，适应多种频率需求。
3. 内置匹配网络，简化外部设计复杂性。
4. 出色的线性度和抗干扰能力，适合高动态范围应用。
5. 低功耗设计，减少系统热管理负担。
6. 稳定的工作温度范围，从 -40°C 到 +85°C。
该芯片的主要应用领域包括：
1. 无线通信基站前端接收模块。
2. 卫星通信系统中的低噪声前置放大器。
3. 雷达接收机中的关键信号增强组件。
4. 测试测量设备中的高频信号放大。
5. 其他需要高增益、低噪声特性的射频系统。
AZ5125-03S, AZ5125-01S
