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AZ5123-01F.R7GR 发布时间 时间:2025/12/26 21:45:42 查看 阅读:16

AZ5123-01F.R7GR是一款由Littelfuse公司生产的ESD(静电放电)保护二极管阵列,专为高速数据线路的瞬态电压保护而设计。该器件采用微型DFN1006-2封装(也称为SOD-962),具有非常小的占位面积,适用于对空间要求极为严格的便携式电子设备。AZ5123-01F.R7GR集成了两个双向TVS(瞬态电压抑制)二极管,能够为两条独立的数据线提供对称的过压保护,特别适用于USB、HDMI、SIM卡接口、音频线路等需要高信号完整性和快速响应保护的应用场景。该器件符合IEC 61000-4-2 Level 4(±8kV接触放电,±15kV空气放电)标准,具备优异的抗ESD能力,能够在极端静电事件下保持系统稳定运行。此外,其低电容设计确保了对高速信号传输的影响最小化,不会引入明显的信号失真或衰减。AZ5123-01F.R7GR在制造过程中遵循RoHS环保规范,并支持无铅回流焊接工艺,适合现代自动化贴装生产线使用。

参数

类型:ESD保护二极管阵列
  通道数:2
  工作电压(VRWM):5.5V
  击穿电压(VBR):6.8V @ 1mA
  最大峰值脉冲电流(IPP):1A
  钳位电压(VC):12V @ 1A
  电容值(C):0.45pF @ 0V, 1MHz
  ESD耐受能力:±15kV(空气放电),±8kV(接触放电)
  响应时间:<1ns
  封装:DFN1006-2 (SOD-962)
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  极性:双向

特性

AZ5123-01F.R7GR的核心特性之一是其超低电容设计,典型值仅为0.45pF,这使得它非常适合用于高频和高速数据传输线路中,如USB 2.0、HDMI TMDS通道、MIPI DSI/CSI等接口。由于寄生电容极小,该器件在信号路径上引入的负载效应几乎可以忽略不计,从而有效避免了信号完整性下降、反射增强或眼图闭合等问题,保证了高速通信链路的可靠性与稳定性。
  AZ5123-01F.R7GR采用了双向TVS结构,每个通道均可承受正负方向的瞬态过压冲击,因此无需考虑信号极性,简化了电路布局设计。这种对称保护机制尤其适用于交流耦合或双极性信号线路,例如音频耳机插孔、差分数据线等应用场合。同时,其极快的响应时间小于1纳秒,意味着在ESD事件发生的瞬间即可迅速导通并将能量泄放到地,防止敏感IC(如基带处理器、音频编解码器、显示驱动芯片)受到损坏。
  该器件的另一个显著优势是其紧凑的DFN1006-2封装,尺寸仅为1.0mm × 0.6mm × 0.5mm,是目前市场上最小的保护器件之一,非常适合应用于智能手机、可穿戴设备、TWS耳机、平板电脑等追求轻薄化设计的产品中。尽管体积微小,但其仍能承受高达1A的峰值脉冲电流,并将钳位电压控制在12V以内,体现出良好的能量吸收能力和系统级保护性能。
  此外,AZ5123-01F.R7GR符合IEC 61000-4-2 Level 4标准,这是工业界公认的最高级别ESD防护等级,表明其在实际使用环境中具备出色的鲁棒性。其材料结构经过优化,具有良好的热循环稳定性和机械强度,能够在严苛的工作条件下长期可靠运行。整体而言,这款器件结合了高性能、小型化和高可靠性三大优点,是现代消费类电子产品中理想的板级ESD解决方案。

应用

AZ5123-01F.R7GR广泛应用于各类便携式消费电子产品中的高速接口保护。典型应用场景包括智能手机和平板电脑的USB Type-C或Micro-AB接口数据线保护,防止因人体接触或热插拔产生的静电损伤主控芯片;在无线耳机(如AirPods类设备)中用于保护充电触点与音频传输线路;也可用于智能手表、健身追踪器等可穿戴设备的传感器信号线或天线馈线保护。此外,该器件适用于SIM卡、SD卡、MMC卡等存储卡接口的ESD防护,这些接口经常暴露在外且频繁插拔,极易遭受静电冲击。在音频系统中,它可以部署于麦克风输入、耳机输出或扬声器线路,提升系统的电磁兼容性(EMC)表现。由于其低电容和双向特性,也常被用于HDMI、DisplayPort等视频接口的TMDS差分对保护,以及MIPI联盟定义的移动图像和显示总线保护。在工业手持终端、医疗监测设备等人机交互频繁的设备中,该器件同样发挥着关键作用,保障设备在复杂电磁环境下的稳定运行。

替代型号

SP0503BAHT

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