时间：2025/11/8 9:59:15
阅读：9
AZ5015-01H.R7G是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），专为高速数据线和其他敏感电子接口提供静电放电（ESD）和瞬态电压保护。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有极低的电容特性，适用于现代高速信号传输应用，如USB、HDMI、SD卡接口等。其封装形式为微型DFN（Dual Flat No-lead）封装，尺寸小巧，适合在空间受限的便携式电子产品中使用，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端设备。
AZ5015-01H.R7G集成了多个高性能TVS二极管，能够在纳秒级时间内响应过压事件，将瞬态高压钳位于安全水平，从而有效保护下游集成电路免受损坏。该器件符合IEC 61000-4-2国际电磁兼容标准中对ESD抗扰度的要求，能够承受高达±15kV空气放电和±8kV接触放电的极端静电冲击。此外，它还具备低漏电流、高可靠性以及良好的热稳定性，确保在各种工作环境下长期稳定运行。
类型：TVS二极管阵列
通道数：1
工作电压（VRWM）：5V
击穿电压（VBR）：6.3V（最大）
最大峰值脉冲电流（IPP）：1A
钳位电压（VC）：12V（典型值，@ IPP = 1A）
电容值（C）：0.4pF（典型值，@ 1MHz）
ESD保护能力：±15kV（空气放电）、±8kV（接触放电）
反向漏电流（IR）：1μA（最大，@ VRWM = 5V）
封装类型：DFN-2
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
AZ5015-01H.R7G的核心特性之一是其超低电容设计，典型值仅为0.4pF，在高频信号线路中几乎不会引入信号失真或衰减，因此特别适用于高速数据通信端口的防护。这一特性使其能够在不影响信号完整性的情况下实现高效的瞬态抑制功能，广泛应用于USB 2.0、HDMI、MIPI、RF天线开关等对带宽要求较高的场景。
该器件采用单向保护结构，能够快速响应正向和负向的瞬态过压事件，并通过内部PN结将能量迅速泄放到地，从而维持被保护节点的电压在安全范围内。其响应时间小于1ns，远快于传统压敏电阻或气体放电管，可在首次ESD脉冲到达时即完成保护动作，避免敏感CMOS电路发生闩锁或击穿故障。
此外，AZ5015-01H.R7G具有极低的漏电流（最大1μA），在待机或低功耗模式下不会显著增加系统功耗，有利于延长电池供电设备的续航时间。其DFN-2小型化封装不仅节省PCB布局空间，而且具备优良的散热性能，有助于提升整体系统的可靠性和耐久性。产品符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊工艺，适合自动化表面贴装生产流程。
由于其高度集成的设计和稳定的电气性能，AZ5015-01H.R7G被广泛用于消费类电子、工业控制、汽车电子外围接口等领域，作为第一道防线抵御来自人体接触、电缆插拔或环境干扰所产生的瞬态干扰。
主要用于各类便携式电子设备中的高速数据接口ESD保护，典型应用包括USB 2.0/3.0端口、HDMI接口、SD/MMC卡槽、耳机插孔、触摸屏控制器信号线、无线模块天线馈线以及智能手机和平板电脑上的各种I/O端口。此外，也可用于工业通信接口、医疗设备前端和智能家居产品的外部连接器保护，以提高系统的电磁兼容性（EMC）和现场可靠性。
SP0503BAHT
