SIF4N60C是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Siemens(西门子)制造,适用于各种高功率和高电压应用。该MOSFET具有优异的导通特性和快速开关能力,适用于电源管理、电机控制、照明系统以及工业自动化设备。SIF4N60C的额定漏源电压为600V,最大漏极电流为4A,这使其能够在高压环境中提供高效的功率转换。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):4A
导通电阻(Rds(on)):约2.5Ω
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220
功率耗散(Pd):50W
SIF4N60C具备一系列优秀的电气特性和可靠性,适用于各种高电压和高功率场景。其主要特性包括:
1. 高电压耐受能力:SIF4N60C的漏源击穿电压高达600V,能够承受高压环境下的工作条件,适合用于电源转换器、开关电源和逆变器等应用。
2. 低导通电阻:虽然SIF4N60C的导通电阻约为2.5Ω,对于某些高性能应用可能略高,但在同类器件中仍然表现出良好的导通性能,从而减少功率损耗,提高效率。
3. 快速开关特性:该MOSFET具备较快的开关速度,能够有效减少开关损耗,提高系统整体效率,特别适用于高频开关应用。
4. 高可靠性:SIF4N60C采用坚固的封装设计,具有良好的热稳定性和机械强度,能够在恶劣环境下稳定工作。
5. 宽温度范围:SIF4N60C的工作温度范围为-55°C至+150°C,能够在极端温度条件下保持稳定的电气性能,适合工业级应用。
SIF4N60C的应用范围广泛,涵盖了多个高电压和高功率领域:
1. 开关电源(SMPS):由于其高电压耐受能力和快速开关特性,SIF4N60C可用于AC/DC和DC/DC转换器,提供高效的电源管理。
2. 电机控制:在工业自动化和电机驱动系统中,SIF4N60C可用于控制直流电机和无刷电机,实现精确的速度和扭矩控制。
3. 照明系统:该MOSFET适用于高压卤素灯、荧光灯和LED驱动电路,提供稳定的电源控制。
4. 逆变器和UPS系统:SIF4N60C可用于不间断电源(UPS)和太阳能逆变器,实现高效的能量转换和稳定输出。
5. 工业设备:该器件可用于工业控制设备、自动化系统和测试仪器,确保高可靠性和长期稳定性。
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