AZ23C10_R1 是一种表面贴装封装的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件由Diodes Incorporated生产,适用于便携式设备、电源管理和电压调节等场景。齐纳二极管能够在反向击穿区域工作,提供稳定的参考电压,同时具有低功耗和小封装的特点,非常适合空间受限的应用。
类型:齐纳二极管
制造商:Diodes Incorporated
封装类型:SOD-323
最大耗散功率:300mW
齐纳电压(标称值):10V
齐纳电流(最大值):50mA
工作温度范围:-55°C 至 150°C
存储温度范围:-55°C 至 150°C
最大反向漏电流:100nA @ 1V
齐纳阻抗(最大值):900Ω
AZ23C10_R1 是一款高性能的齐纳二极管,具有稳定的电压参考特性,适用于多种电子电路设计。该器件的齐纳电压为10V,在反向击穿状态下能够保持电压稳定,适用于基准电压源和电压调节电路。
其SOD-323封装形式使得器件体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,同时降低了整体电路的重量和空间需求。此外,该齐纳二极管的最大功耗为300mW,确保在低功耗应用中仍能提供稳定性能。
AZ23C10_R1 具有较低的反向漏电流(最大100nA),在非击穿状态下对电路的影响极小,提高了电路的稳定性和精度。其齐纳阻抗最大值为900Ω,保证了在负载变化时输出电压的稳定性。
该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于各种严苛环境条件下的电子设备,如汽车电子、工业控制系统和消费类电子产品。此外,其存储温度范围同样宽广,确保在运输和存储过程中不会受到环境温度的影响。
AZ23C10_R1 主要应用于电压参考、电源管理、过压保护、电压调节以及模拟和数字电路中的稳压需求。其小封装形式和稳定性能使其成为便携式设备、LED驱动电路、电池管理系统和嵌入式控制系统中的理想选择。
AZ23C10-7_R1_15S