AWT6651Q7 时间：2025/8/22 10:55:46 阅读：15

AWT6651Q7 是一款由 Analog Devices（亚德诺半导体）推出的高性能、低噪声、高线性度的射频前端模块（RF Front-End Module, FEM），专为5G无线通信系统设计。该模块集成了功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）以及射频开关，适用于5G NR（New Radio）基站和用户终端设备（UE）。AWT6651Q7采用了先进的硅基工艺技术，具备优异的射频性能和热管理能力，能够在高频率范围内（如3.3 GHz至4.2 GHz）提供稳定的输出功率和低噪声系数。

参数

工作频率范围：3.3 GHz - 4.2 GHz
　　输出功率（PA）：26 dBm（典型值）
　　PA增益：30 dB
　　LNA增益：18 dB
　　噪声系数（LNA）：1.5 dB（典型值）
　　供电电压：3.3 V 和 5 V
　　封装形式：QFN 40引脚
　　工作温度范围：-40°C 至 +105°C

特性

AWT6651Q7 具备多项先进特性，使其在5G通信系统中表现出色。首先，该模块在3.3 GHz至4.2 GHz频段内提供高线性度的功率放大功能，确保在高调制信号条件下仍能维持低误码率（BER）。其集成的PA在典型工作条件下可提供高达26 dBm的输出功率，并具备良好的热稳定性，能够适应复杂的环境温度变化。
　　其次，AWT6651Q7内置的低噪声放大器具有1.5 dB的噪声系数和18 dB的增益，能够在接收路径中有效提升信号灵敏度，从而改善整体系统性能。此外，模块内集成了高性能射频开关，实现发射与接收路径的高效切换，减少外部元件数量，提高系统集成度。
　　该器件采用节能设计，在非工作状态下可进入低功耗模式，有助于降低整体功耗。其QFN 40引脚封装形式支持紧凑的PCB布局，适用于小型基站、5G用户终端、毫米波通信设备等应用场合。