型号：AUR9801DGD
　　制造商：onsemi（安森美）
　　器件类型：SiC MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1200 V
　　栅源电压（VGS）：-10 V 至 +25 V
　　导通电阻（RDS(on)）：80 mΩ（典型值，@ VGS = 20 V）
　　连续漏极电流（ID）：38 A（@ TC = 25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：152 A
　　最大工作结温（Tj）：175 °C
　　输入电容（Ciss）：4.6 nF（@ VDS = 600 V）
　　输出电容（Coss）：1.1 nF（@ VDS = 600 V）
　　反向恢复电荷（Qrr）：极低（典型值 < 5 nC）
　　栅极电荷（Qg）：130 nC（@ VGS = 18 V）
　　封装类型：DFN8x8（双侧散热）
　　认证标准：AEC-Q101

AUR9801DGD基于安森美先进的第三代碳化硅沟槽MOSFET工艺制造，具备多项关键特性以满足高功率密度和高效率电源系统的需求。首先，其80mΩ的低导通电阻显著降低了导通损耗，尤其是在大电流工作条件下，有助于提升系统整体能效并减少散热需求。其次，该器件具有非常快的开关速度，得益于碳化硅材料本身的宽带隙特性，使得其在高频开关应用中表现出色，能够有效减小无源元件（如电感和电容）的体积，从而实现更紧凑的系统设计。
　　该器件的栅极结构经过优化设计，具备良好的阈值电压稳定性（Vth ≈ 4.5V），并在高温下保持可靠开关行为。同时，其栅源电压范围支持-10V至+25V，允许使用负压关断以增强抗噪声能力和防止误导通，特别适用于高dv/dt环境下的电机驱动应用。此外，AUR9801DGD具有极低的反向恢复电荷（Qrr），与传统硅基IGBT或超级结MOSFET相比，大幅减少了体二极管反向恢复带来的损耗和电磁干扰问题，提升了系统在硬开关拓扑中的可靠性。
　　热性能方面，DFN8x8封装采用双侧散热设计，顶部和底部均可进行热传导，显著改善了热阻表现（RthJC低至0.5°C/W），有利于将热量高效传递至散热器或PCB，确保器件在高负载条件下仍能维持安全结温。该器件还具备优异的抗雪崩能力，能够在短时过压或感性负载切换过程中承受能量冲击，提高了系统的鲁棒性。最后，AUR9801DGD通过AEC-Q101车规认证，并在生产过程中执行严格的筛选和测试流程，确保其在-40°C至+175°C宽温度范围内长期稳定运行，适用于对可靠性要求极高的汽车动力总成系统。

AUR9801DGD广泛应用于需要高效率、高频率和高可靠性的电力电子系统中，尤其适合新能源汽车领域的核心功率模块。其主要应用场景包括电动汽车的主驱逆变器，在该系统中作为上下桥臂开关元件，利用其低RDS(on)和快速开关特性实现高效的三相电机控制，提升续航里程并减少冷却系统负担。此外，它也适用于车载充电机（OBC），在PFC（功率因数校正）级和DC-DC变换级中发挥关键作用，支持双向充放电功能，并可在高频率下运行以缩小磁性元件体积。
　　在DC-DC转换器中，如车载高压至低压（HV-LV）转换系统或辅助电源模块，AUR9801DGD能够实现高效率的能量转换，适应宽输入电压范围并提供稳定的输出。工业领域中，该器件可用于光伏逆变器、储能系统PCS（功率转换系统）以及服务器电源等高功率密度设备，凭借其耐高温和低损耗优势，提升系统效率并延长使用寿命。同时，由于其具备AEC-Q101认证，也可用于轨道交通、电动工程机械等对环境适应性和安全性要求较高的场合。总之，AUR9801DGD是现代高功率应用中理想的碳化硅开关器件选择。

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