型号：AUR9707AGD
　　制造商：onsemi（安森美）
　　类别：功率MOSFET
　　产品类型：增强型MOSFET
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：75 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：180 A（TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：540 A
　　导通电阻RDS(on) max：1.3 mΩ（@ VGS = 10 V）
　　导通电阻RDS(on)典型值：1.1 mΩ（@ VGS = 10 V）
　　阈值电压（Vth）：3.0 V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：16000 pF（@ VDS = 25 V）
　　反向恢复时间（trr）：25 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　封装/外壳：DFN5x6（5.0 x 6.0 mm）
　　符合标准：AEC-Q101, PPAP 可用

AUR9707AGD采用安森美专有的沟道场效应晶体管技术，实现了超低导通电阻与高电流处理能力的完美结合，使其成为高功率密度汽车电子系统的理想选择。其1.1 mΩ的典型RDS(on)值大幅降低了在大电流工作状态下的功率损耗，提升了整体能效，有助于减少散热设计复杂度并延长电池寿命，尤其适用于电动助力转向（EPS）、车载充电机（OBC）和DC-DC变换器等关键子系统。
　　该器件经过优化设计，在高频开关应用中表现出色，具备较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），从而减少了驱动损耗并提高了开关速度。这不仅提升了系统动态响应能力，也有效抑制了电磁干扰（EMI）问题，使系统更容易通过EMC认证。同时，其出色的热稳定性得益于DFN5x6封装底部的裸露焊盘设计，能够高效地将热量传导至PCB，实现良好的热管理。
　　AUR9707AGD严格按照汽车级质量体系生产，每颗芯片都经过100%的低温和高温测试，确保在极端环境下的可靠运行。其内置的体二极管具有快速恢复特性，适用于需要频繁换流或存在感性负载的应用场合。此外，该器件具备强大的抗雪崩能力和短路耐受时间（约10μs），可在突发故障情况下保护自身及周边电路，提升整车安全性。所有材料均符合RoHS和无卤素要求，支持绿色环保制造流程。

AUR9707AGD广泛应用于各类汽车电子系统中，尤其是在需要高效功率切换和高可靠性的场景下表现突出。典型应用包括但不限于：电动车辆中的高压辅助电源系统（如DC-DC转换器）、车载充电模块（OBC）、电池管理系统（BMS）中的预充/主驱控制回路、电机驱动单元（如水泵、油泵、风扇电机驱动）以及车身域控制器中的智能功率开关。此外，该器件也可用于工业级高电流开关电源、服务器VRM模块以及电信基础设施中的中间总线转换器等非车规但要求高性能的领域。由于其优异的热性能和紧凑封装，特别适合空间受限且散热挑战大的嵌入式系统。在新能源汽车快速发展背景下，AUR9707AGD凭借其高效率、高鲁棒性和全温度范围稳定性，已成为众多OEM和Tier1供应商优选的功率开关器件之一。