类型：高边/低边栅极驱动器
　　输出通道数：2
　　最大供电电压（VDD）：20V
　　逻辑输入电压兼容：3.3V / 5V TTL/CMOS兼容
　　峰值输出电流：+2A / -2A
　　高端偏置电压（VB至VS）：600V
　　电源电压范围（VCC）：10V 至 20V
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　关断状态下的静态电流：<50μA
　　传播延迟时间：典型值约120ns
　　上升时间（典型值）：30ns（1000pF负载）
　　下降时间（典型值）：25ns（1000pF负载）
　　隔离电压（封装）：>3500Vrms（典型）
　　封装类型：SOIC-8

AUIRS2110STR的核心特性之一是其内置的浮动通道技术，允许高端驱动器在高达600V的开关节点电压下正常运行。该技术利用自举二极管和外部自举电容实现高压侧电源的电平位移，从而无需额外的独立隔离电源即可驱动高边N沟道MOSFET。这种设计不仅降低了系统成本和复杂性，还提高了整体效率与可靠性。
　　另一个显著特点是其强大的抗噪声能力。器件内部采用了先进的CMOS/TTL输入逻辑接口，具有高噪声抑制性能，即使在快速电压瞬变（dv/dt）环境下也能防止误触发。同时，逻辑输入端带有施密特触发器功能，增强了对输入信号的整形能力，确保在存在干扰或缓慢上升沿的情况下仍能准确响应控制指令。
　　AUIRS2110STR还具备欠压锁定保护（UVLO）功能，分别针对高端和低端驱动电路进行监测。当VCC或VB电压低于设定阈值时，输出将被强制关闭，防止因电源不稳定导致的功率器件非饱和导通或直通短路风险。这一机制极大地提升了系统的安全性与稳定性。
　　此外，该芯片支持高达+150°C的结温操作，适合高温工业和汽车应用。其SOIC-8封装经过优化，具有良好的热性能和电气隔离特性，能够承受严酷的工作条件。所有这些特性共同使AUIRS2110STR成为高性能、高可靠性功率驱动系统的优选方案。

AUIRS2110STR广泛应用于需要高效、可靠地驱动功率MOSFET或IGBT的场合。常见应用包括交流电机驱动器、无刷直流电机（BLDC）控制器、开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器以及单相或三相逆变器系统。在太阳能逆变器中，它可用于半桥拓扑结构中上下管的栅极驱动，配合PWM控制器实现高效的能量转换。
　　在电动汽车领域，AUIRS2110STR常用于车载充电机（OBC）、DC-DC变换器和辅助电源模块中，作为主功率桥臂的驱动核心。得益于其AEC-Q100认证和宽温域工作能力，该芯片能在车辆运行过程中承受剧烈温度变化和电磁干扰，保障长期稳定运行。
　　此外，在工业自动化设备中，如伺服驱动器、变频器和UPS不间断电源系统中，AUIRS2110STR也发挥着重要作用。它可以有效提升系统响应速度、降低功耗并减少发热，从而提高整机效率和使用寿命。由于其双通道独立输出设计，用户可以灵活配置死区时间控制逻辑，避免上下桥臂直通，进一步增强系统安全性。

IR2110S, IRS2110SPBF, AUIRS2113STR, UCC27324P