时间：2025/8/5 15:37:07
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IXGH32N50BU1S 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）制造的高功率 N 沟道 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），适用于高电压和高电流应用。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降特性，使其在电源转换、电机控制和工业逆变器中具有广泛应用。
类型：N 沟道 IGBT
最大集电极-发射极电压（VCES）：500V
最大集电极电流（IC）：32A（在 Tc=25℃）
最大工作温度：150℃
导通压降（VCE_sat）：约 2.5V（典型值，IC=32A）
栅极-发射极电压范围：-20V 至 +20V
短路耐受能力：有
封装形式：TO-247AC
IXGH32N50BU1S 采用先进的沟槽栅场阻断（Trench Field Stop）技术，提供低导通压降和快速开关性能，从而减少功率损耗并提高系统效率。
其高短路耐受能力使其在高应力环境下具有良好的稳定性，适用于变频器、伺服驱动器和不间断电源（UPS）等应用。
该 IGBT 还具有良好的热稳定性和抗过载能力，确保在高温条件下仍能可靠运行。
此外，IXGH32N50BU1S 的 TO-247 封装便于安装在散热器上，提高了热管理效率。
IXGH32N50BU1S 主要用于工业和高功率电子设备中，包括交流电机驱动、工业逆变器、电焊机、感应加热系统以及太阳能逆变器等。
它在需要高效能、高可靠性和高耐压能力的场合表现出色，尤其适合用于高频开关和大功率负载控制。
此外，该器件也广泛应用于电动汽车充电设备、电力储能系统和自动化控制系统中。
IXGH32N60A3U1S, IRG4PC50U, FGL40N120ANDT
