AUIRLR3105TRL 时间：2025/12/26 20:32:36 阅读：19

AUIRLR3105TRL是一款由Infineon Technologies生产的汽车级N沟道功率MOSFET，专为高效率、高频率开关应用设计，广泛用于车载电源系统、DC-DC转换器以及电机控制等场景。该器件采用先进的沟道场效应技术制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优化的栅极电荷特性，有助于降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。作为符合AEC-Q101标准的车规级元件，AUIRLR3105TRL具备出色的可靠性和耐久性，能够在严苛的温度与振动环境下稳定运行。其封装形式为DirectFET S340，提供优良的热性能和空间利用率，适合对散热要求较高的紧凑型设计。该MOSFET特别适用于48V轻混动力系统、负载开关、电池管理单元及LED照明驱动等汽车电子模块中，满足现代车辆对节能与智能化日益增长的需求。

参数

型号：AUIRLR3105TRL
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大连续漏极电流(ID)：90A
　　最大脉冲漏极电流(ID_pulse)：360A
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻RDS(on)（典型值@VGS=10V）：2.8mΩ
　　导通电阻RDS(on)（最大值@VGS=10V）：3.7mΩ
　　导通电阻RDS(on)（典型值@VGS=4.5V）：4.8mΩ
　　栅极电荷Qg（典型值）：26nC
　　输入电容Ciss（典型值）：2060pF
　　输出电容Coss（典型值）：840pF
　　反向恢复电荷Qrr（典型值）：13nC
　　二极管正向电压VSD：1.1V
　　工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：DirectFET S340
　　符合标准：AEC-Q101, RoHS

特性

AUIRLR3105TRL具备多项先进电气与热力学特性，使其在汽车级功率MOSFET中表现突出。其低导通电阻特性显著降低了大电流下的功率损耗，在VGS=10V时RDS(on)最大仅为3.7mΩ，确保在高负载条件下仍能维持较低温升，提高系统能效。该器件的栅极电荷Qg低至26nC，意味着驱动电路所需能量更少，有利于实现高频开关操作，适用于诸如同步整流DC-DC变换器等需要快速切换的应用场景。此外，其输入电容Ciss为2060pF，输出电荷COSS为840pF，使得在高频工作时的动态损耗得到有效控制。
　　该MOSFET采用了优化的体二极管设计，反向恢复电荷Qrr仅为13nC，大幅减少因二极管反向恢复引起的开关尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统的稳定性与安全性。这对于多相降压转换器或半桥拓扑结构尤为重要。同时，器件支持高达90A的连续漏极电流和360A的脉冲电流能力，展现出卓越的瞬态响应能力和过载承受力。
　　得益于DirectFET S340封装技术，AUIRLR3105TRL实现了顶部和底部双向散热，增强了热传导效率，有效延长器件寿命并允许更高功率密度布局。其符合AEC-Q101汽车可靠性标准，并通过了高温高压栅极测试（HV-GS）、高温反偏测试（HTRB）等多项认证，保证在极端环境下的长期可靠性。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +175°C）使其能够适应发动机舱等高温区域的使用需求。此外，该器件无铅且符合RoHS环保规范，适合自动化表面贴装工艺，便于大规模生产集成。

应用

AUIRLR3105TRL主要应用于各类汽车电子系统中的高效功率开关场合。常见用途包括48V轻度混合动力系统的DC-DC转换器，用于将48V主电源降至12V以供传统车载设备使用。在这些应用中，其低RDS(on)和优异的开关性能可显著提升转换效率，减少能源浪费。它也广泛用于车载充电机（OBC）、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及电动助力转向（EPS）、电子涡轮增压器等关键子系统的电机驱动电路。
　　此外，该器件适用于大电流负载开关设计，如座椅加热、空调风机、灯光控制系统等，能够安全地接通和断开高功率负载。在车载信息娱乐系统和ADAS（高级驾驶辅助系统）电源架构中，常被用作多相降压稳压器的上下管，配合控制器实现精确的电压调节。由于其高电流能力和良好的热性能，也可用于工业级DC-DC模块、服务器电源和电信设备中对空间和效率有严格要求的设计场景。总之，凡是需要高可靠性、高效率、高功率密度的低压大电流开关应用，AUIRLR3105TRL均是一个理想选择。