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AUIRLR2905TRR 发布时间 时间:2025/6/28 11:07:15 查看 阅读:5

AUIRLR2905TRR 是一款 N 沃林顿功率 MOSFET,采用 TO-263-3 封装形式。该器件专为汽车应用设计,具有高可靠性与耐用性。它适用于需要高效开关和低导通电阻的场景,广泛应用于车载电源管理、电机驱动以及负载切换等场合。
  该芯片基于沟槽式 MOSFET 技术制造,能够提供出色的电气性能和热稳定性,同时满足 AEC-Q101 标准认证要求,确保在严苛环境下的可靠运行。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:2.2mΩ(典型值)
  栅极电荷:12nC(典型值)
  总功耗:28W
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-263-3

特性

AUIRLR2905TRR 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (2.2mΩ),有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 高额定电流能力 (50A),适合大功率应用。
  3. 符合 AEC-Q101 标准,具备良好的抗静电能力和耐热冲击性能。
  4. 优化的开关性能,栅极电荷仅为 12nC,有助于降低驱动损耗。
  5. 提供稳健的短路保护能力,增强了系统可靠性。
  6. 封装结构紧凑且散热性能优越,便于 PCB 布局设计。

应用

这款 MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 汽车电子:包括发动机控制单元、变速器控制模块、制动系统等。
  2. 车载电源转换:如 DC/DC 转换器、逆变器及电池管理系统。
  3. 电机驱动:用于电动车窗、雨刷、座椅调节等功能。
  4. 开关电源及负载切换:实现高效的电源管理解决方案。
  AUIRLR2905TRR 凭借其卓越的性能,在各种需要高电流密度和快速开关速度的应用中表现出色。

替代型号

IRLR2902TRPBF, IRLR2904TRPBF

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AUIRLR2905TRR参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C27 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)