时间：2025/7/17 19:42:23
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AUIRLR024N 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的高性能 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高效能的电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场合。它基于先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少功率损耗并提高系统效率。
类型：N 沟道
漏源电压（VDS）：30 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：165 A
功耗（PD）：180 W
导通电阻 RDS(on)：最大 2.4 mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：PowerPAK SO-8
AUIRLR024N MOSFET 具备多项显著的技术优势。首先，它的超低导通电阻（2.4 mΩ）使得在大电流条件下仍然保持较低的传导损耗，从而提升整体能效。其次，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提高了热稳定性和可靠性。
此外，AUIRLR024N 的栅极电荷（Qg）相对较低，这有助于降低高频开关应用中的驱动损耗，使其非常适合用于高频率工作的 DC-DC 转换器和同步整流电路中。同时，其封装形式为 PowerPAK SO-8，提供了优异的散热性能，并且兼容标准的表面贴装工艺，便于 PCB 设计与制造。
该 MOSFET 支持高达 ±20 V 的栅源电压，增强了抗干扰能力，适用于需要高可靠性的汽车电子、工业控制及通信设备中。最后，其高温耐受性达 175°C，确保了在恶劣环境中依然可以稳定运行。
AUIRLR024N 主要应用于需要高效能功率转换的领域。典型的应用包括服务器电源、电信设备电源、电池管理系统、电动工具、无人机动力系统以及汽车电子产品（如车载充电器 OBC 和 DC-DC 转换模块）。由于其出色的导通特性和高频响应能力，也常被用作负载开关或马达驱动电路中的主开关元件。
AUIRFR024N, IRFZ44N, SiR142DP
