型号：AUIRFU8405PBF
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品类别：MOSFET
　　技术类型：N-Channel
　　漏源电压VDS：40 V
　　栅源电压VGS：±20 V
　　连续漏极电流ID：190 A（TC=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：640 A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS=10V：3.7 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS=4.5V：5.3 mΩ
　　阈值电压VGS(th)：2.0 V ~ 3.0 V
　　输入电容Ciss：10700 pF
　　输出电容Coss：3000 pF
　　反向传输电容Crss：470 pF
　　开启延迟时间td(on)：18 ns
　　关断延迟时间td(off)：35 ns
　　工作结温范围TJ：-55°C ~ +175°C
　　封装/外壳：D2PAK (TO-263)

AUIRFU8405PBF采用了英飞凌先进的沟槽栅MOSFET工艺，这种结构通过优化单元密度与电场分布，在保证高电流承载能力的同时显著降低了导通损耗。其超低的RDS(on)值在VGS=10V时仅为3.7mΩ，在同类40V N沟道MOSFET中处于领先水平，这意味着在大电流应用场景下能够有效减少I2R功耗，提升整体系统效率，并降低对散热设计的要求。该器件还表现出优异的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），有助于实现快速切换，适用于高频PWM控制电路，例如同步整流DC-DC变换器或BLDC电机驱动中的H桥拓扑。
　　作为一款通过AEC-Q101认证的汽车级器件，AUIRFU8405PBF在可靠性方面进行了全面强化。它具备高抗雪崩能力（Unclamped Inductive Switching, UIS），能够在突发感性负载断开导致的电压尖峰中幸存而不损坏，这对于汽车电子中常见的继电器驱动或电机启停场景至关重要。器件的结温范围可达+175°C，支持高温环境下长期稳定运行，同时低温端达-55°C，满足冷启动需求。所有器件均经过100% UIS测试，确保批次一致性与安全性。
　　该MOSFET的D2PAK封装不仅提供了良好的机械强度和焊接可靠性，而且通过底部散热片可直接连接至PCB上的大面积铜箔进行散热，极大提升了热传导效率。此外，其引脚兼容标准TO-263封装，便于现有设计替换与升级。内部结构设计也考虑了电磁兼容性（EMC），减少高频噪声辐射，提高系统抗干扰能力。综合来看，AUIRFU8405PBF是一款高性能、高可靠性的汽车级功率MOSFET，特别适用于对能效、空间和寿命有严苛要求的应用场合。

AUIRFU8405PBF广泛应用于各类汽车电子系统中，尤其是在需要高效功率切换和大电流处理能力的场景。典型应用包括车载直流电机驱动，如电动座椅、车窗升降器、冷却风扇和油泵控制等，其低导通电阻可显著降低发热，延长使用寿命。在车载电源系统中，该器件常用于同步降压或升压DC-DC转换器，作为主开关管或整流管使用，配合控制器实现高效的电压调节，服务于ADAS、信息娱乐系统及仪表盘供电模块。
　　此外，AUIRFU8405PBF也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路，作为主动保护开关切断异常电流路径；也可用于智能电源分配单元（Power Distribution Module），替代传统保险丝和继电器，实现更精确的负载管理与故障诊断功能。在LED照明驱动电路中，该MOSFET可用于调光控制和恒流调节，支持高频率PWM调光而不过热。由于其出色的动态响应能力和温度稳定性，亦可用于发动机控制单元（ECU）、变速器控制模块（TCM）及其他关键电控单元中的电源开关与负载开关应用。

IRFU8405PBF
　　SPD0404A-LM2-LF
　　AOZ1282CI