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AUIRFR540ZTRL 发布时间 时间:2025/6/28 11:06:27 查看 阅读:11

AUIRFR540ZTRL 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于汽车电子领域。该器件采用了 TO-263-2 封装形式(也称为 D2PAK),具备低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其设计符合 AEC-Q101 标准,确保在严苛的汽车环境中可靠运行。
  这款 MOSFET 的主要特点是其优异的热性能和电气性能,使其能够在高功率密度的应用中表现出色。此外,其封装形式有助于简化 PCB 布局并提高散热效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷(典型值):49nC
  总功耗:180W
  工作结温范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TO-263-2 (D2PAK)
  符合标准:AEC-Q101

特性

AUIRFR540ZTRL 提供了非常低的导通电阻,从而减少了传导损耗,提高了系统效率。同时,它具有快速的开关能力,可以支持高频开关应用,进一步缩小整体解决方案的尺寸。其坚固的设计使其能够承受雪崩和浪涌电流,并且具备出色的 ESD 防护能力。
  此外,由于采用了无铅封装材料并遵循 RoHS 标准,AUIRFR540ZTRL 还满足环保要求。在实际使用中,该器件通常需要适当的散热措施以确保长期稳定运行,尤其是在高电流或高温环境下。
  对于汽车应用而言,AUIRFR540ZTRL 的高可靠性尤为重要,因为它能够在极端温度变化和振动条件下保持性能不变。

应用

AUIRFR540ZTRL 主要应用于汽车电子领域,例如发动机控制单元中的负载开关、变速箱控制系统中的电机驱动电路、LED 照明模块中的恒流源以及 DC-DC 转换器等。此外,它也可用于工业设备中的功率转换和管理任务,如不间断电源系统 (UPS) 和太阳能逆变器。
  具体来说,该 MOSFET 的高电流承载能力和低导通电阻使得它成为需要高效能量传输场合的理想选择。同时,它的高耐压等级允许直接连接到电池端子而无需额外保护电路,从而降低了系统的复杂性和成本。

替代型号

IRFR540N, STP55NF06L, FDP55N06L

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AUIRFR540ZTRL参数

  • 现有数量2,666现货
  • 价格1 : ¥22.82000剪切带(CT)3,000 : ¥10.42606卷带(TR)
  • 系列HEXFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)35A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)28.5 毫欧 @ 21A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 50μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)59 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1690 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)91W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DPAK
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63