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AUIRFR5305 发布时间 时间:2025/12/23 18:56:41 查看 阅读:21

AUIRFR5305是一种专为汽车应用设计的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,非常适合于汽车电子系统中的开关和负载管理。
  其坚固的设计使其能够承受严苛的工作环境,例如高温、振动和电气瞬变等。此外,AUIRFR5305符合AEC-Q101标准,确保了其在汽车应用中的高可靠性和稳定性。

参数

漏源电压:60V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻:2.7mΩ
  栅极电荷:66nC
  输入电容:2960pF
  总功耗:200W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

AUIRFR5305采用了最新的硅技术以实现更低的导通电阻,从而减少了功率损耗并提高了效率。
  其优化的封装设计增强了散热性能,并且具有快速开关速度和低开关损耗的特点。
  同时,它具备出色的雪崩能力和短路耐受能力,能够在异常条件下提供额外的保护。
  另外,由于其高电流承载能力,这款MOSFET非常适合用于大功率车载系统中,例如电动助力转向(EPS)、启动电机控制以及其他高电流负载驱动场景。

应用

AUIRFR5305主要应用于汽车电子领域,包括但不限于以下方面:
  - 电动助力转向(EPS)
  - 启动电机控制
  - 燃油泵控制
  - 空调压缩机驱动
  - 车身控制模块中的负载切换
  - 高效DC/DC转换器
  凭借其优异的性能和可靠性,这款MOSFET成为了汽车行业中许多关键应用的理想选择。

替代型号

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AUIRFR5305参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C31A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 16A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件