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AUIRFR1018E 发布时间 时间:2025/7/12 16:43:05 查看 阅读:11

AUIRFR1018E 是一款专为汽车应用设计的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适用于需要高效率和可靠性的车载电子系统。其封装形式通常为TO-263-3(D2PAK),能够承受较高的电流和电压,同时提供出色的散热能力。
  这款功率MOSFET主要应用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池管理等场景,广泛用于汽车电子领域。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:75A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:95nC
  总电容:1250pF
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

AUIRFR1018E 具有非常低的导通电阻(2.5mΩ),能够在高电流条件下显著减少功耗并提高系统效率。此外,该器件支持高达175℃的工作温度,使其非常适合恶劣环境下的汽车应用。
  由于采用了优化的芯片设计与封装技术,AUIRFR1018E 能够快速切换状态,从而降低开关损耗,并在高频操作中保持高效表现。
  它还具备强大的雪崩能力和鲁棒性,确保在异常情况下的安全运行。这些特点使得 AUIRFR1018E 成为汽车电源管理和电机控制的理想选择。

应用

该功率MOSFET 主要用于以下领域:
  1. 汽车电子中的DC-DC转换器
  2. 电动汽车及混合动力汽车的电池管理系统
  3. 汽车电机驱动与控制
  4. 汽车内部负载开关和保护电路
  5. 高效功率变换器和逆变器
  AUIRFR1018E 的高性能指标和可靠性使其成为现代汽车电子系统的关键组件。

替代型号

IRFR1018, AUIRF1018

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AUIRFR1018E参数

  • 制造商International Rectifier
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压20 V
  • 漏极连续电流79 A
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DPAK
  • 封装Tube
  • 栅极电荷 Qg46 nC
  • 功率耗散110 W
  • 工厂包装数量75