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IXDN602PI 发布时间 时间:2025/6/10 12:42:07 查看 阅读:54

IXDN602PI 是 IXYS 公司生产的一款双通道 N 沟道功率 MOSFET 驱动光耦合器。它采用 IGBT 和 MOSFET 栅极驱动应用设计,具有高绝缘电压和快速开关特性,能够在高频条件下实现可靠隔离。该器件适用于工业、汽车及通信领域的各种功率转换电路。
  IXDN602PI 将 LED 和光电二极管集成在单一封装内,提供电气隔离的同时保证信号传输的完整性。其紧凑型设计和高性能参数使其成为高可靠性系统的理想选择。

参数

额定隔离电压:2500Vrms
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  输入电流:10mA(典型值)
  传播延迟时间:最大 2.5μs
  脉冲宽度失真:最大 ±0.3μs
  上升时间:最大 0.1μs
  下降时间:最大 0.1μs
  封装形式:DIP8

特性

IXDN602PI 提供了出色的性能和可靠性,主要特性如下:
  1. 高速信号传输能力,能够支持高达 1Mbps 的数据速率。
  2. 强大的抗干扰能力,能够在恶劣环境下稳定运行。
  3. 内置浪涌保护功能,可有效防止外部瞬态电压对设备的损害。
  4. 双通道独立输出设计,便于多路驱动应用。
  5. 符合国际安全标准,如 UL1577 和 VDE 认证。
  6. 宽工作温度范围,适应各种极端环境条件。
  7. 小型化封装,节省 PCB 空间并简化系统设计。

应用

IXDN602PI 广泛应用于需要电气隔离和高速驱动的场景,具体包括:
  1. 工业变频器中的 IGBT/MOSFET 栅极驱动。
  2. 开关电源 (SMPS) 的隔离反馈控制。
  3. 电机驱动器中的功率级隔离。
  4. 新能源领域,例如太阳能逆变器和风力发电系统。
  5. 汽车电子中的高压隔离驱动。
  6. 医疗设备中的关键电路隔离。
  7. 通信基础设施中的信号隔离与传输。

替代型号

IXDN604PI, IXDN606PI

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IXDN602PI参数

  • 标准包装50
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间35ns
  • 电流 - 峰2A
  • 配置数2
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)-
  • 电源电压4.5 V ~ 35 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳8-DIP(0.300",7.62mm)
  • 供应商设备封装8-DIP
  • 包装管件
  • 其它名称CLA355IXDN602PI-ND