IXDN602PI 是 IXYS 公司生产的一款双通道 N 沟道功率 MOSFET 驱动光耦合器。它采用 IGBT 和 MOSFET 栅极驱动应用设计,具有高绝缘电压和快速开关特性,能够在高频条件下实现可靠隔离。该器件适用于工业、汽车及通信领域的各种功率转换电路。
IXDN602PI 将 LED 和光电二极管集成在单一封装内,提供电气隔离的同时保证信号传输的完整性。其紧凑型设计和高性能参数使其成为高可靠性系统的理想选择。
额定隔离电压:2500Vrms
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
输入电流:10mA(典型值)
传播延迟时间:最大 2.5μs
脉冲宽度失真:最大 ±0.3μs
上升时间:最大 0.1μs
下降时间:最大 0.1μs
封装形式:DIP8
IXDN602PI 提供了出色的性能和可靠性,主要特性如下:
1. 高速信号传输能力,能够支持高达 1Mbps 的数据速率。
2. 强大的抗干扰能力,能够在恶劣环境下稳定运行。
3. 内置浪涌保护功能,可有效防止外部瞬态电压对设备的损害。
4. 双通道独立输出设计,便于多路驱动应用。
5. 符合国际安全标准,如 UL1577 和 VDE 认证。
6. 宽工作温度范围,适应各种极端环境条件。
7. 小型化封装,节省 PCB 空间并简化系统设计。
IXDN602PI 广泛应用于需要电气隔离和高速驱动的场景,具体包括:
1. 工业变频器中的 IGBT/MOSFET 栅极驱动。
2. 开关电源 (SMPS) 的隔离反馈控制。
3. 电机驱动器中的功率级隔离。
4. 新能源领域,例如太阳能逆变器和风力发电系统。
5. 汽车电子中的高压隔离驱动。
6. 医疗设备中的关键电路隔离。
7. 通信基础设施中的信号隔离与传输。
IXDN604PI, IXDN606PI