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AUIRF8739L2TR 发布时间 时间:2025/5/7 14:06:40 查看 阅读:10

AUIRF8739L2TR是一款来自英飞凌(Infineon)的汽车级功率MOSFET,采用OptiMOS技术设计。该器件主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及电池管理系统等汽车电子领域。其设计优化了导通电阻和开关性能,在高温环境下也能保持出色的稳定性。
  这款MOSFET为N沟道增强型,采用TO-Leadless (TOLL) 封装形式,具备低热阻和优异的电气性能,非常适合空间受限且需要高效散热的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:145A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  栅极电荷(Qg):74nC
  输入电容(Ciss):4500pF
  工作温度范围:-55℃ to 175℃
  封装形式:TOLL

特性

AUIRF8739L2TR具有超低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。其卓越的热性能和大电流承载能力使其适合在严苛的汽车环境中使用。此外,器件内置了快速恢复体二极管,可有效降低开关过程中的反向恢复损耗。
  此器件符合AEC-Q101标准,确保在汽车应用中的可靠性。它还支持高频开关操作,并能承受较高的浪涌电流,从而增强了系统的稳定性和耐用性。
  TOLL封装的设计不仅减小了占板面积,还通过大面积金属接触提高了散热效率。这种封装形式特别适用于需要高性能和高可靠性的现代汽车电子系统。

应用

AUIRF8739L2TR广泛应用于汽车电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 汽车DC-DC转换器
  2. 电动汽车电池管理(BMS)
  3. 汽车空调压缩机驱动
  4. 高效电机控制
  5. 车载充电器(OBC)
  6. 燃油泵和水泵驱动
  由于其低导通电阻和良好的散热性能,该器件尤其适合要求高效率和高功率密度的应用场景。

替代型号

IRF8739,
  AUIRF8739L2

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AUIRF8739L2TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥61.37000剪切带(CT)4,000 : ¥33.51305卷带(TR)
  • 系列HEXFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)57A(Ta),545A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)0.6 毫欧 @ 195A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)562 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)40V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)17890 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.8W(Ta),340W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DirectFET? 等距 L8
  • 封装/外壳DirectFET? 等距 L8