时间：2025/4/29 11:28:40
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AUIRF7739L2TR 是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道功率MOSFET，采用TO-263-3L封装形式。该器件主要用于汽车电子领域中的开关和负载驱动应用。它具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够满足现代汽车电子系统对高效能和可靠性的要求。
这款MOSFET适用于需要在高温环境下工作的场合，并且其设计符合汽车行业严格的性能和可靠性标准。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：41A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：37nC
总电容：2250pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
AUIRF7739L2TR 具有非常低的导通电阻（2.8mΩ），可以有效降低功耗并提高效率。同时，它的栅极电荷较小（37nC），有助于实现更快的开关速度和更少的能量损失。
此外，这款器件支持高达175℃的工作温度，非常适合用于恶劣环境下的汽车应用。它的高击穿电压（60V）保证了在各种负载条件下的稳定运行。器件还具有出色的热稳定性，确保长期使用中的可靠性和一致性。
AUIRF7739L2TR 的封装形式为 TO-263-3L，这种封装提供了良好的散热性能和机械强度，适合大功率应用场景。
AUIRF7739L2TR 主要应用于汽车电子系统中，例如电机控制、DC-DC转换器、LED驱动器以及电池管理系统等。由于其优异的电气特性和耐高温能力，该器件也适用于其他工业领域的功率转换和控制电路。
在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中，这款MOSFET可用于牵引逆变器、车载充电器以及其他关键的功率管理模块。此外，它还可以用作通用的功率开关元件，在各类消费电子产品和工业设备中发挥重要作用。
IRF7739TR
