类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：40-120（根据不同分组）
　　过渡频率（fT）：100MHz（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2N820A晶体管具有多种电气和物理特性，使其适用于广泛的应用场景。首先，其较高的过渡频率（fT）使其适合用于中高频放大电路，能够有效放大音频信号而不失真。其次，该晶体管具备良好的电流增益特性，hFE在40到120之间，根据不同的应用需求可选择不同等级的器件。此外，2N820A采用了TO-18金属封装，具有优异的热稳定性和机械强度，适合在较为恶劣的环境中使用。该晶体管的最大功耗为300mW，允许其在中等功率条件下工作，而不会出现明显的过热现象。其集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为30V，提供了较高的电压耐受能力，适用于多种电源供电条件下的电路设计。最后，该晶体管的制造工艺成熟，性能稳定，互换性好，广泛用于工业控制、消费电子和通信设备中。

2N820A晶体管广泛应用于各种电子电路中，尤其是在需要中等功率放大或开关控制的场合。常见的应用包括音频前置放大器、功率调节电路、信号发生器、RF射频放大器、开关电源以及各种逻辑电路中的开关元件。此外，它也常用于传感器电路、电压调节器和驱动电路中，以提供适当的信号放大和功率输出。由于其良好的频率响应，2N820A也适合用于中高频放大电路，如FM接收器和发射器的前置放大器部分。

2N820B, 2N820C, 2N821A, 2N821B, 2N821C