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AUIRF7484QTR 发布时间 时间:2025/5/20 20:02:02 查看 阅读:6

AUIRF7484QTR是Infineon Technologies(英飞凌科技)推出的一款车规级N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-263-3封装形式,广泛应用于汽车电子系统中,例如发动机控制单元、变速器控制模块以及各种开关电源和电机驱动电路。
  由于其出色的电气性能和高可靠性,AUIRF7484QTR非常适合要求严格的汽车应用环境。该MOSFET具有较低的导通电阻和快速的开关速度,能够有效降低功耗并提升系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:52A
  导通电阻:2.9mΩ
  总栅极电荷:29nC
  工作温度范围:-40℃至175℃

特性

AUIRF7484QTR是一款专为汽车应用设计的高性能MOSFET,具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为2.9毫欧,这有助于减少功率损耗,提高整体系统效率。
  2. 快速开关能力,总栅极电荷量为29纳库仑,使得器件在高频开关应用中表现优异。
  3. 高额定电流,连续漏极电流高达52安培,适用于大功率负载切换。
  4. 宽泛的工作温度范围,从-40摄氏度到175摄氏度,确保在极端环境下仍能稳定运行。
  5. 符合AQG100标准,保证了器件在汽车应用中的可靠性和耐用性。
  6. 具备良好的热性能,便于散热设计。
  7. TO-263-3封装形式,易于安装和集成到现有电路板中。

应用

AUIRF7484QTR主要应用于汽车电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 汽车引擎管理系统的功率开关。
  2. 自动变速器控制模块中的负载驱动。
  3. 车载DC-DC转换器和开关电源的设计。
  4. 电动车窗、座椅调节及其他车载电机的驱动控制。
  5. 各种保护电路,如过流保护和短路保护。
  6. 高效功率分配网络中的开关组件。
  这款MOSFET凭借其卓越的性能和可靠性,在现代汽车电子系统中发挥着重要作用。

替代型号

IRF7484,
  AUIRF7484STRH

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AUIRF7484QTR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列HEXFET?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)7V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10 毫欧 @ 14A,7V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)100 nC @ 7 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3520 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.5W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SO
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)