时间：2025/6/11 19:58:52
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AUIRF7341Q 是一款来自 Vishay 公司的 N 沟道功率 MOSFET，专为汽车应用设计。该器件采用 PQFN5x6 封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。其出色的开关性能使其非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理等场景。
AUIRF7341Q 的工作电压范围宽广，可支持高达 60V 的漏源极电压，并且能够在高频条件下保持高效运行。此外，由于符合 AEC-Q101 标准，这款 MOSFET 在恶劣的汽车环境中也表现出良好的可靠性和稳定性。
最大漏源电压（VDS）：60V
连续漏极电流（ID）：28A
导通电阻（RDS(on)）：3.5mΩ
栅极电荷（Qg）：26nC
总热阻（结到壳）：24°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
AUIRF7341Q 提供了超低的导通电阻 (RDS(on)) 和栅极电荷 (Qg)，从而显著降低了导通损耗和开关损耗。这使得它非常适合高效率和高密度的功率转换应用。
该器件采用了 Vishay 的先进工艺技术，确保在高频操作下依然保持优异的性能。此外，PQFN5x6 封装提供了卓越的散热性能，同时减少了寄生电感的影响。
另外，AUIRF7341Q 满足汽车级认证要求，具备较高的抗浪涌能力和 ESD 防护水平，适用于复杂的车载电子系统环境。
AUIRF7341Q 广泛应用于汽车电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 电机驱动电路
2. DC-DC 转换器
3. 开关电源 (SMPS)
4. 负载开关
5. 电池管理系统 (BMS)
6. 照明控制
7. 汽车信息娱乐系统的电源管理
由于其出色的电气特性和可靠性，该器件已成为许多现代汽车平台的理想选择。
IRF7341,
SI7465DP,
FDMC8623,
BSC018N06NS3
