AUIRF1404ZSTRR是一款来自安森美(ON Semiconductor)的N沟道功率MOSFET,采用TO-263-2封装形式。该器件专为汽车级应用设计,具有较高的耐用性和可靠性,能够在严苛的工作环境下保持稳定性能。它适用于各种开关和功率管理场景,例如DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:56A
导通电阻:3.8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:47nC(典型值)
功耗:30W
工作温度范围:-55℃至175℃
封装类型:TO-263-2
AUIRF1404ZSTRR具备低导通电阻和高电流承载能力,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
其高雪崩能量能力确保了在瞬态条件下的稳健性。
符合AEC-Q101标准,适合汽车电子应用。
内置的热保护机制可以防止过热损坏。
快速开关速度减少了开关损耗,并提升了整体性能。
该器件还具有较低的栅极电荷,从而简化了驱动电路的设计。
这款MOSFET广泛应用于汽车电子领域,包括但不限于发动机控制单元(ECU)、变速箱控制器、车身控制系统、LED驱动器以及车载充电器等。
此外,它也适用于工业领域的开关电源、电机驱动以及负载切换等场景。
AUIRF1404ZSTRR凭借其出色的电气特性和可靠性,成为许多高功率密度设计的理想选择。
IRF1404,
AUIRF1404,
STP10NK60Z,
FDP15U60A,
IXYS IXFN100N06T2