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AUIRF1404ZSTRR 发布时间 时间:2025/6/26 19:38:37 查看 阅读:8

AUIRF1404ZSTRR是一款来自安森美(ON Semiconductor)的N沟道功率MOSFET,采用TO-263-2封装形式。该器件专为汽车级应用设计,具有较高的耐用性和可靠性,能够在严苛的工作环境下保持稳定性能。它适用于各种开关和功率管理场景,例如DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:56A
  导通电阻:3.8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:47nC(典型值)
  功耗:30W
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装类型:TO-263-2

特性

AUIRF1404ZSTRR具备低导通电阻和高电流承载能力,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  其高雪崩能量能力确保了在瞬态条件下的稳健性。
  符合AEC-Q101标准,适合汽车电子应用。
  内置的热保护机制可以防止过热损坏。
  快速开关速度减少了开关损耗,并提升了整体性能。
  该器件还具有较低的栅极电荷,从而简化了驱动电路的设计。

应用

这款MOSFET广泛应用于汽车电子领域,包括但不限于发动机控制单元(ECU)、变速箱控制器、车身控制系统、LED驱动器以及车载充电器等。
  此外,它也适用于工业领域的开关电源、电机驱动以及负载切换等场景。
  AUIRF1404ZSTRR凭借其出色的电气特性和可靠性,成为许多高功率密度设计的理想选择。

替代型号

IRF1404,
  AUIRF1404,
  STP10NK60Z,
  FDP15U60A,
  IXYS IXFN100N06T2

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AUIRF1404ZSTRR参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C160A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.7 毫欧 @ 75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs150nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4340pF @ 25V
  • 功率 - 最大200W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)