型号：AUIRF1404ZS
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：40V
　　最大连续漏极电流（ID）：202A（Tc=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：810A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on)：max 2.2mΩ @ VGS=10V, ID=101A
　　导通电阻RDS(on)：max 2.8mΩ @ VGS=4.5V, ID=70A
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约7000pF @ VDS=20V, VGS=0V
　　输出电容（Coss）：约1900pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值45ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：D2PAK (TO-263)
　　符合标准：AEC-Q101

AUIRF1404ZS的核心优势在于其极低的导通电阻与出色的热稳定性相结合，使其在大电流应用中表现出色。该器件的RDS(on)在VGS=10V时最大仅为2.2mΩ，这意味着在高负载条件下能够显著降低导通损耗，提高系统整体能效。这种低RDS(on)特性对于电池供电系统尤其重要，因为它有助于延长续航时间并减少发热。同时，在VGS=4.5V时仍能保持低于2.8mΩ的导通电阻，表明其兼容逻辑电平驱动信号，可在微控制器或驱动IC直接控制下高效工作，无需额外的电平转换电路。
　　该MOSFET采用先进的沟槽栅结构和场截止技术，不仅提升了载流子迁移率，还有效降低了寄生参数的影响，从而实现更快的开关速度和更低的开关损耗。其输入电容约为7000pF，输出电容约为1900pF，这些电容值经过优化，能够在高频开关应用中保持良好的动态响应，同时避免过大的驱动功耗。反向恢复时间trr典型值为45ns，说明体二极管具有较快的恢复能力，减少了在半桥或同步整流拓扑中可能出现的直通电流和EMI干扰。
　　作为一款符合AEC-Q101标准的汽车级器件，AUIRF1404ZS在可靠性方面表现突出。它通过了严格的应力测试，包括高温反偏、温度循环、高压釜试验等，确保在车载复杂电磁环境和剧烈温度变化下的长期稳定性。其工作结温范围从-55°C到+175°C，支持极端气候条件下的正常运行，例如发动机舱内的高温环境或寒冷地区的冷启动工况。D2PAK封装提供了优良的散热路径，可通过PCB上的铜箔或散热片将热量快速传导出去，进一步提升功率处理能力。此外，该器件具备一定的单脉冲雪崩能量承受能力，增强了在感性负载断开时的耐压冲击性能，提高了系统的安全裕度。

AUIRF1404ZS主要应用于需要高电流、低损耗开关功能的场合，尤其适用于汽车电子系统。典型应用包括汽车启动电机驱动电路，其中MOSFET作为主开关元件控制大电流流向起动机，要求器件具备极低的导通电阻以减少压降和发热。此外，它也广泛用于电动助力转向（EPS）、电动刹车系统、电动泵、风扇电机驱动和车窗升降器等车身控制系统中，提供快速响应和高效能量传输。在新能源汽车中，该器件可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）中的预充/主接触器驱动模块，支持高效率直流变换和电池均衡控制。工业领域中，AUIRF1404ZS可用于大功率开关电源、服务器电源模块、UPS不间断电源以及电机驱动逆变器等设备，满足对高可靠性与高功率密度的需求。由于其优异的热性能和电气特性，也可用于大电流LED照明驱动、太阳能逆变器和储能系统中的功率切换环节。总之，任何需要在40V电压范围内实现超高电流开关且对效率和可靠性有严格要求的应用，都是AUIRF1404ZS的理想选择。

IRF1404ZPBF
　　AUIRF1404