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AUIRF1010EZS 发布时间 时间:2025/7/14 17:31:13 查看 阅读:20

AUIRF1010EZS是一款由Vishay公司生产的增强型N沟道功率MOSFET,采用TO-263-3(D2PAK)封装形式。该器件广泛用于汽车电子领域,具备出色的耐高压性能和低导通电阻特性。其设计符合AEC-Q101标准,适用于需要高可靠性和高温操作的场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:57A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:80nC
  输入电容:2550pF
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  功耗:约90W

特性

AUIRF1010EZS具有低导通电阻和高电流处理能力,能够显著减少导通损耗并提高效率。
  其优化的封装设计增强了散热性能,非常适合高频开关应用。
  此外,该器件具有快速开关速度和较低的栅极电荷,有助于降低开关损耗。
  由于符合AEC-Q101标准,它特别适合于汽车环境中的严苛条件,例如发动机控制单元、启动停止系统和其他动力系统。

应用

AUIRF1010EZS主要应用于汽车电子系统中,包括但不限于电机驱动、DC-DC转换器、电池管理系统以及负载开关等。
  此外,它也可以用于工业设备中的电源管理和逆变器设计。
  由于其出色的电气性能和可靠性,这款MOSFET还被广泛用于高性能开关电源及电信基础设施。

替代型号

IRF1010ZFPbF, AUIRF1010TRPBF

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AUIRF1010EZS参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.5 毫欧 @ 51A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs86nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2810pF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D²PAK
  • 包装管件