AUIRF1010EZS是一款由Vishay公司生产的增强型N沟道功率MOSFET,采用TO-263-3(D2PAK)封装形式。该器件广泛用于汽车电子领域,具备出色的耐高压性能和低导通电阻特性。其设计符合AEC-Q101标准,适用于需要高可靠性和高温操作的场景。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:57A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅极电荷:80nC
输入电容:2550pF
工作结温范围:-55℃至+175℃
功耗:约90W
AUIRF1010EZS具有低导通电阻和高电流处理能力,能够显著减少导通损耗并提高效率。
其优化的封装设计增强了散热性能,非常适合高频开关应用。
此外,该器件具有快速开关速度和较低的栅极电荷,有助于降低开关损耗。
由于符合AEC-Q101标准,它特别适合于汽车环境中的严苛条件,例如发动机控制单元、启动停止系统和其他动力系统。
AUIRF1010EZS主要应用于汽车电子系统中,包括但不限于电机驱动、DC-DC转换器、电池管理系统以及负载开关等。
此外,它也可以用于工业设备中的电源管理和逆变器设计。
由于其出色的电气性能和可靠性,这款MOSFET还被广泛用于高性能开关电源及电信基础设施。
IRF1010ZFPbF, AUIRF1010TRPBF