时间：2025/7/14 17:31:13
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AUIRF1010EZS是一款由Vishay公司生产的增强型N沟道功率MOSFET，采用TO-263-3（D2PAK）封装形式。该器件广泛用于汽车电子领域，具备出色的耐高压性能和低导通电阻特性。其设计符合AEC-Q101标准，适用于需要高可靠性和高温操作的场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：57A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：80nC
输入电容：2550pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
功耗：约90W
AUIRF1010EZS具有低导通电阻和高电流处理能力，能够显著减少导通损耗并提高效率。
其优化的封装设计增强了散热性能，非常适合高频开关应用。
此外，该器件具有快速开关速度和较低的栅极电荷，有助于降低开关损耗。
由于符合AEC-Q101标准，它特别适合于汽车环境中的严苛条件，例如发动机控制单元、启动停止系统和其他动力系统。
AUIRF1010EZS主要应用于汽车电子系统中，包括但不限于电机驱动、DC-DC转换器、电池管理系统以及负载开关等。
此外，它也可以用于工业设备中的电源管理和逆变器设计。
由于其出色的电气性能和可靠性，这款MOSFET还被广泛用于高性能开关电源及电信基础设施。
IRF1010ZFPbF, AUIRF1010TRPBF
