类型：静态随机存取存储器（SRAM）
　　容量：256K位（32K x 8）
　　访问时间：55ns（最大）
　　工作电压：5V
　　数据宽度：8位
　　封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：28
　　温度范围：-40°C至+85°C（工业级）
　　封装尺寸：约8mm x 14mm
　　封装材料：塑料
　　工作电流：最大200mA（典型值）
　　待机电流：最大10mA

HY62256AT1-55I 是一款高性能SRAM芯片，采用高速CMOS工艺制造，具有快速访问时间和稳定的性能。其主要特性包括高速访问时间55ns，使得数据读写响应迅速，适合用于需要快速存取的应用场景。芯片的工作电压为5V，支持标准逻辑电平，便于与多种控制器和外围设备连接。
　　在功耗方面，该芯片在工作模式下电流消耗较低，典型值为200mA，而在待机模式下电流仅为10mA，有助于降低系统整体功耗，适用于需要节能设计的设备。此外，该芯片采用TSOP封装，具有较小的封装尺寸和良好的热稳定性，适合高密度PCB布局。
　　该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于恶劣环境下的长期稳定运行。其高可靠性和耐用性使其广泛应用于工业控制系统、通信设备、医疗设备、嵌入式系统等对稳定性要求较高的领域。

HY62256AT1-55I 主要用于需要高速、低功耗和高可靠性的存储应用场合。例如，在工业自动化控制系统中，该芯片可用于缓存数据或程序代码，提高系统响应速度。在通信设备中，如路由器、交换机等，该芯片可用于高速数据缓冲，提升数据处理效率。
　　此外，HY62256AT1-55I 还适用于嵌入式系统，如智能仪表、数据采集设备、手持终端等，提供可靠的存储支持。在消费类电子产品中，如打印机、扫描仪、音频设备等，该芯片也可用于临时数据存储，提升设备性能。
　　由于其宽温工作范围，该芯片还广泛应用于汽车电子系统、安防设备和医疗设备中，确保在各种复杂环境下稳定运行。同时，由于其标准化的接口和封装，该芯片易于集成到现有系统中，便于替换和升级。

AS6C256A-55PCN-B, CY62256NLL-55ZS, IS62C256AL-55TLI, MX62256ACP-55G