AU0514PD是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的N沟道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特点,适合用于各种功率转换和负载开关应用。其封装形式为PDFN33-8L,是一种小型化且高效的表面贴装器件。
AU0514PD的典型应用场景包括但不限于电源管理电路、DC-DC转换器、电池保护电路以及消费类电子设备中的负载驱动等。
最大漏源电压:20V
连续漏极电流:4.9A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(在Vgs=4.5V时)
栅极电荷:7nC
总电容:160pF
工作温度范围:-55℃至150℃
封装形式:PDFN33-8L
AU0514PD具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻确保了更高的效率和更低的功耗,非常适合高效能要求的应用。
2. 快速开关特性使其能够适应高频操作环境,有助于减小外部元件体积并提高系统性能。
3. 高度集成的小型PDFN封装形式节省了PCB空间,特别适合便携式或紧凑型设计。
4. 良好的热稳定性和可靠性保证了在恶劣环境下的长期运行表现。
5. 符合RoHS标准,支持环保生产需求。
AU0514PD适用于以下应用领域:
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的同步整流。
2. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
3. 消费类电子产品如智能手机、平板电脑及笔记本电脑中的电源管理模块。
4. LED驱动器中的功率控制与调节。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与驱动电路。
6. 各种电机驱动和音频放大器中的功率级组件。
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