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ATV6007B 发布时间 时间:2025/12/25 1:35:57 查看 阅读:16

ATV6007B是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率晶体管,属于垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS)类别。它主要用于需要高功率和高频率操作的射频(RF)应用,如射频放大器、工业加热设备、医疗设备和广播系统。ATV6007B具备高增益、高效率和优异的热稳定性,适用于在极端条件下运行的高性能系统。

参数

类型:VDMOS射频功率晶体管
  最大漏极电流:7A
  最大漏极-源极电压:60V
  最大栅极-源极电压:±20V
  工作温度范围:-65°C至+150°C
  封装类型:TO-247
  频率范围:DC至600MHz
  输出功率:125W
  增益:约14dB
  漏极效率:约65%

特性

ATV6007B具有多种关键特性,使其适用于广泛的射频功率放大应用。首先,其高输出功率和增益使其在射频放大器设计中非常受欢迎,能够在较宽的频率范围内提供稳定和高效的信号放大。其次,该器件采用了先进的VDMOS技术,具备良好的热稳定性和高可靠性,即使在高功率操作下也能保持较低的温度上升,从而延长设备的使用寿命。此外,ATV6007B的高漏极效率(约65%)减少了功率损耗,提高了整体系统的能效。其封装采用TO-247形式,便于散热并简化了安装过程。最后,该晶体管的宽工作温度范围(-65°C至+150°C)使其适用于恶劣环境下的工业和医疗设备应用。

应用

ATV6007B广泛应用于需要高功率射频放大的各种系统中,包括工业加热设备、等离子体发生器、射频测试设备、广播发射机、医疗射频设备以及工业自动化系统。在这些应用中,ATV6007B能够提供高稳定性和高效能的信号放大,确保设备在高负载条件下仍能正常运行。

替代型号

STB6007B, APT6007B

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