时间：2025/12/28 20:34:30
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ATV50C280JB-HF是一款由Microchip Technology（微芯科技）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率密度和高效能的电力电子系统中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)），可有效降低导通损耗并提高系统效率。ATV50C280JB-HF特别适用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理系统以及各种高功率应用场合。该MOSFET采用TO-263封装（也称为D2PAK），便于安装和散热管理，适合表面贴装工艺。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
连续漏极电流（ID）@25°C：50A
导通电阻（RDS(on)）最大值：280mΩ
栅极电荷（Qg）：135nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
功率耗散（PD）：220W
漏极-源极击穿电压：500V
栅极-源极电压范围：±30V
ATV50C280JB-HF功率MOSFET具有多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为280mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。这对于需要高效能转换的DC-DC变换器和电源模块尤为重要。
其次，该MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，使得在相同尺寸下，性能优于传统平面MOSFET，同时具有良好的热稳定性。此外，器件的高电流承载能力（50A）使其能够适用于需要大电流输出的应用，如电机控制和电源管理模块。
该器件的栅极电荷（Qg）为135nC，属于中等偏高水平，这在高频开关应用中需要考虑驱动能力。但由于其优异的导通性能，适合在中高功率开关电源中使用。
ATV50C280JB-HF的封装形式为TO-263（D2PAK），具备良好的散热性能，便于在高功率条件下保持稳定工作温度。该封装也支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。
此外，该MOSFET具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），适用于各种严苛环境下的应用，如工业控制、通信电源、电动汽车充电模块等领域。
ATV50C280JB-HF主要应用于高功率密度电源系统中，如AC-DC和DC-DC转换器、服务器电源、电信电源设备、工业自动化控制设备以及电机驱动系统等。由于其具备高耐压、大电流承载能力和低导通电阻，该MOSFET也适用于高频开关电源设计，能够有效提升整体转换效率。此外，该器件还常用于光伏逆变器、不间断电源（UPS）和储能系统的功率控制模块中。其高可靠性和宽温度范围也使其适合用于汽车电子系统中的电源管理单元。
IXFA50N50P, FCP50N50, FDPF50N50
