型号：IRF350
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源击穿电压（BVDSS）：200 V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：5.6 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：22 A
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：4 V（典型值）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.45 Ω（最大值，@ VGS = 10 V）
　　栅极电荷（Qg）：47 nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1100 pF（@ VDS = 25 V）
　　反向恢复时间（trr）：不适用（无体二极管快速恢复设计）
　　功耗（PD）：150 W（最大值）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-220AB, TO-247AD

IRF350具有优异的高电压阻断能力，其漏源击穿电压可达200V，确保在高压环境中仍能安全可靠地工作。该MOSFET采用了优化的平面工艺结构，在保证高耐压的同时实现了较低的导通电阻（RDS(on)），典型值为0.45Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率。
　　器件具备良好的热稳定性，最大功耗可达150W，并可通过标准散热片有效散热。其连续漏极电流在25°C下可达到5.6A，支持瞬态大电流脉冲（最高22A），适用于需要短时过载能力的应用场景。栅极电荷（Qg）仅为47nC，意味着驱动电路所需提供的能量较小，有利于实现高频开关操作而不会显著增加驱动损耗。
　　IRF350还具备较低的输入电容（Ciss = 1100pF），进一步减少了高频下的开关损耗，提升了电源转换效率。该器件的阈值电压典型值为4V，兼容大多数常见的PWM控制器输出逻辑电平，便于集成到现有的控制系统中。此外，其体二极管具备一定的反向恢复特性，虽然并非专为快速恢复设计，但在许多通用开关应用中仍能满足需求。
　　该MOSFET符合工业级温度规范，可在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，适应严苛的工作环境。其TO-220AB和TO-247AD封装形式不仅提供了良好的机械强度，还具备优异的热传导路径，方便安装于散热器上进行强制冷却。这些综合特性使IRF350成为中等功率开关电源、DC-DC变换器、UPS系统以及电机驱动电路中的理想选择。

IRF350常用于各类中高功率开关电源系统中，如AC-DC电源适配器、工业用开关电源模块和不间断电源（UPS）设备。它也广泛应用于DC-DC转换器中，特别是在升压（Boost）、降压（Buck）和反激式（Flyback）拓扑结构中担任主开关器件。此外，该器件可用于电机驱动电路，包括小型直流电机和步进电机的H桥驱动方案，提供高效的功率切换功能。
　　在照明领域，IRF350可用于高强度气体放电灯（HID）镇流器和大功率LED驱动电源中，利用其高耐压和良好开关特性实现稳定的电流控制。同时，它也被用于逆变器系统，如太阳能逆变器和车载逆变器，作为核心功率开关元件参与能量转换过程。
　　由于其具备较高的可靠性和耐用性，IRF350同样适用于工业自动化控制系统中的固态继电器（SSR）和电磁阀驱动电路。在测试仪器和电源设备中，也可用作负载开关或保护电路中的切断装置。其广泛的应用范围得益于其在电压等级、电流能力和热管理方面的均衡设计，使其在多种复杂工况下均能保持稳定性能。

SPW35N20CD
　　SPW35N20CF
　　IRFP350
　　STP5NK20Z