时间：2025/8/30 23:01:25
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ATV15C5V0JB-HF 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的射频功率晶体管（RF Power Transistor），属于MOSFET类型，适用于高频功率放大器应用。该器件采用先进的硅基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术制造，具有高功率密度、高效率和良好的热稳定性。它广泛用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备、射频加热系统、等离子体发生器以及无线基础设施设备中。
类型：射频MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500 V
最大栅源电压（VGS）：+/- 30 V
最大漏极电流（ID）：15 A
最大功率耗散（PD）：500 W
工作温度范围：-65°C 至 +200°C
封装类型：TO-247AC
频率范围：1 MHz - 500 MHz
增益：14 dB（典型值）
输出功率：500 W（典型值）
漏极效率：70%（典型值）
ATV15C5V0JB-HF具有优异的射频性能和高可靠性，适用于多种高频功率放大场景。其高漏源击穿电压（500V）使其能够在高电压条件下稳定运行，同时具备出色的热管理和散热能力。该器件的高功率输出能力（可达500W）和较高的功率增益（14dB）使其在射频放大应用中表现卓越。此外，该MOSFET具备良好的线性度，适用于需要高保真信号放大的系统。其TO-247AC封装设计不仅便于安装，还能有效提升散热性能，从而延长器件使用寿命。
这款晶体管在设计上优化了跨导（Transconductance）特性，使其在不同工作条件下仍能保持稳定的放大性能。同时，其低输出电容（Coss）有助于提升高频响应，使得ATV15C5V0JB-HF在宽带射频应用中具有出色的适应能力。由于其宽频率覆盖范围（从1MHz到500MHz），该器件可广泛应用于各类射频电源系统，如射频加热、感应加热、等离子体发生器和工业射频电源设备等。
ATV15C5V0JB-HF广泛用于需要高功率射频放大的系统中，包括但不限于工业射频加热设备、医疗射频治疗设备、等离子体发生器、无线通信基站、射频测试设备以及各类射频功率放大器模块。该器件适用于要求高效率、高功率输出和稳定性能的高频应用场合。
STP15C5V0YF-HF, STP15C5V0JF-HF
