2SK3216是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制及照明驱动等领域。该器件采用先进的平面硅栅技术,具备高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性。2SK3216的封装形式通常为TO-220或TO-252(DPAK),便于散热和安装。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):200V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):连续:5A,脉冲:20A
导通电阻(Rds(on)):典型值0.6Ω(Vgs=10V时)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220、TO-252(DPAK)
2SK3216具备多项优良特性,适合多种功率电子应用。其高耐压能力达到200V,使得该器件可以在高电压环境中稳定工作。导通电阻Rds(on)的典型值为0.6Ω,在Vgs=10V的条件下,确保了较低的功率损耗和较高的工作效率。漏极电流在连续工作模式下可达到5A,脉冲模式下可达20A,满足中等功率应用的需求。
此外,2SK3216的栅源电压容限为±30V,具有较好的抗过压能力,避免在开关过程中因电压尖峰而损坏。该器件的封装形式为TO-220或TO-252(DPAK),具有良好的散热性能,适合高功率密度设计。其工作温度范围从-55°C到+150°C,适应多种环境条件,提高了器件的可靠性和使用寿命。
2SK3216采用平面硅栅技术,具有优异的开关特性和稳定性,适用于高频开关电源和DC-DC转换器。同时,该器件的抗雪崩能力和良好的热阻特性,使其在极端工况下仍能保持稳定工作。
2SK3216适用于多种功率电子设备,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动、照明驱动电路、电池管理系统以及工业控制电路。在开关电源中,2SK3216可用于高频开关,提高电源效率和功率密度。在电机驱动电路中,该器件能够承受较高的电流和电压应力,确保系统的稳定运行。此外,2SK3216也常用于LED照明驱动电路,提供高效、稳定的电源管理方案。
2SK2545, 2SK1318, 2SK1172