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ATV02W200B-HF 发布时间 时间:2025/8/30 22:11:40 查看 阅读:7

ATV02W200B-HF是一款由Microchip Technology生产的双N沟道增强型功率MOSFET,采用DFN(双扁平无引脚)封装,适用于高频率和高效率的电源转换应用。该器件集成了两个MOSFET,能够有效减小电路板空间并提高系统集成度。其设计适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等应用场景。

参数

类型:功率MOSFET
  通道类型:双N沟道
  漏源电压(Vds):20V
  连续漏极电流(Id):6A
  导通电阻(Rds(on)):38mΩ(最大值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):0.5V ~ 1.5V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:DFN
  安装类型:表面贴装

特性

ATV02W200B-HF具有低导通电阻,可显著降低导通损耗,提高系统效率。其双N沟道MOSFET结构允许在同步整流和H桥电路中简化设计和布局。
  该器件采用了先进的沟槽技术,提供了优异的热性能和电流处理能力,适合在高频率开关应用中使用。
  此外,ATV02W200B-HF具有低输入电容和快速开关特性,有助于减少开关损耗并提高响应速度。其DFN封装形式不仅节省空间,还具备良好的热管理性能,适合高密度电源设计。
  该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性,提高了在严苛工作条件下的可靠性和稳定性。

应用

ATV02W200B-HF广泛应用于各类电源管理系统和功率控制电路中。典型应用包括同步降压/升压转换器、DC-DC转换模块、电池充电电路、电机驱动器、负载开关和电源管理单元(PMU)。此外,该器件也非常适合用于便携式电子设备、工业控制系统和汽车电子系统中的高效功率控制。

替代型号

Si8820EDB-T1-E, AO4406A, IPD90P03P4-01

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ATV02W200B-HF参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥0.86574卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 类型齐纳
  • 单向通道-
  • 双向通道1
  • 电压 - 反向断态(典型值)20V
  • 电压 - 击穿(最小值)22.2V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)32.4V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)6.17A
  • 功率 - 峰值脉冲200W
  • 电源线路保护
  • 应用汽车级
  • 不同频率时电容-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商器件封装SOD-123