时间：2025/8/30 22:11:40
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ATV02W200B-HF是一款由Microchip Technology生产的双N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN（双扁平无引脚）封装，适用于高频率和高效率的电源转换应用。该器件集成了两个MOSFET，能够有效减小电路板空间并提高系统集成度。其设计适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等应用场景。
类型：功率MOSFET
通道类型：双N沟道
漏源电压（Vds）：20V
连续漏极电流（Id）：6A
导通电阻（Rds(on)）：38mΩ（最大值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：0.5V ~ 1.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：DFN
安装类型：表面贴装
ATV02W200B-HF具有低导通电阻，可显著降低导通损耗，提高系统效率。其双N沟道MOSFET结构允许在同步整流和H桥电路中简化设计和布局。
该器件采用了先进的沟槽技术，提供了优异的热性能和电流处理能力，适合在高频率开关应用中使用。
此外，ATV02W200B-HF具有低输入电容和快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高响应速度。其DFN封装形式不仅节省空间，还具备良好的热管理性能，适合高密度电源设计。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，提高了在严苛工作条件下的可靠性和稳定性。
ATV02W200B-HF广泛应用于各类电源管理系统和功率控制电路中。典型应用包括同步降压/升压转换器、DC-DC转换模块、电池充电电路、电机驱动器、负载开关和电源管理单元（PMU）。此外，该器件也非常适合用于便携式电子设备、工业控制系统和汽车电子系统中的高效功率控制。
Si8820EDB-T1-E, AO4406A, IPD90P03P4-01
