时间:2025/12/28 13:52:47
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ATTEN-NMNF-3 是一款由 Attens 半导体公司设计的射频(RF)衰减器芯片,广泛应用于射频通信、测试仪器和无线基础设施等领域。这款芯片采用 GaAs(砷化镓)工艺制造,具备良好的高频性能和稳定性。NMNF-3 属于固定衰减器类型,其设计旨在为射频信号链提供精确且稳定的信号衰减,以满足不同系统的需求。芯片采用表面贴装封装形式,便于集成于各类射频电路中。
类型:固定衰减器
频率范围:0.1 GHz - 6 GHz
衰减值:3 dB
输入功率:最大 0.5 W(连续波)
驻波比(VSWR):1.35:1(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:SOT-89
阻抗:50 Ω
插入损耗:3.0 dB ± 0.2 dB
材料:GaAs(砷化镓)
ATTEN-NMNF-3 是一款高性能的 GaAs 固定射频衰减器芯片,具备优异的频率响应和温度稳定性。该器件在 0.1 GHz 到 6 GHz 的宽频带范围内保持 3 dB 的稳定衰减,适用于从蜂窝通信到测试设备的多种应用场景。其 GaAs 材料结构不仅提供了良好的射频性能,还具备较高的热稳定性和可靠性。
该芯片的驻波比(VSWR)典型值为 1.35:1,表明其具有良好的阻抗匹配能力,能够有效减少信号反射,提高系统整体的稳定性。此外,其最大输入功率可达 0.5 W(连续波),使其适用于中高功率的射频应用,如基站射频前端、无线测试设备和宽带放大器等。
ATTEN-NMNF-3 采用 SOT-89 表面贴装封装,便于在 PCB 上安装,同时节省空间,适合高密度射频模块设计。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,确保在各种工业和通信环境中都能稳定运行。
由于其精确的衰减精度(±0.2 dB)和低插入损耗,ATTEN-NMNF-3 能够在多级放大器、滤波器和混频器之间提供精确的信号调节,确保系统的线性度和动态范围。此外,该器件还具备良好的无源互调(PIM)性能,减少了对系统整体性能的干扰。
ATTEN-NMNF-3 广泛应用于多种射频和微波系统中,尤其适用于需要精确信号控制的场合。例如,在蜂窝通信系统中,该器件可用于基站和远程射频单元(RRU)中的信号调节,以确保发射和接收路径中的信号电平稳定。此外,它也常用于测试和测量设备,如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪,用于提供精确的信号衰减基准。
在无线基础设施中,ATTEN-NMNF-3 可用于 Wi-Fi 接入点、小基站和微波回传系统中的射频前端模块,优化信号链路预算并提高系统稳定性。此外,它也可用于工业自动化、航空航天和国防电子等对可靠性和性能要求较高的领域。
HMC472ALP3E, AD8321ARUZ, LTC5548CMS#PBF