工作电压：4.5 V 至 24 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　输出类型：开漏输出
　　响应频率：高达 20 kHz
　　磁灵敏度（Bop）：典型值 45 G（高灵敏度版本）
　　磁释放点（Brp）：典型值 -45 G
　　工作模式：锁存型霍尔效应传感器
　　封装类型：SOT23-W

ATS645LSH-I1 是一款高性能的霍尔效应锁存器集成电路，专为高精度、高可靠性的磁检测应用而设计。该芯片的核心是一个双极性霍尔效应传感器，能够检测磁场的极性变化，并根据磁场强度的变化输出相应的数字信号。其锁存特性意味着，只有当磁场从正向切换到负向或反之亦然时，输出才会改变状态，这有助于减少误触发并提高信号的稳定性。
　　该器件具有宽广的工作电压范围（4.5V 至 24V），适用于多种电源环境，包括电池供电系统和工业控制系统。此外，其工作温度范围从 -40°C 到 +150°C，确保其在极端温度条件下仍能保持稳定运行，适用于汽车和工业环境。
　　ATS645LSH-I1 的输出为开漏结构，允许用户根据需要连接上拉电阻至不同的电压源，从而实现电平转换功能。这种设计增强了其与其他电路的兼容性，适用于多种接口方案。该芯片的响应频率高达 20kHz，适合用于高速旋转检测或高频磁场变化的应用场景。
　　此外，该器件采用 SOT23-W 封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。其封装形式支持表面贴装工艺，提高了制造效率和焊接可靠性。整体来看，ATS645LSH-I1 是一款集高性能、高稳定性和灵活性于一体的霍尔效应锁存器芯片，适用于广泛的位置和速度检测应用。

ATS645LSH-I1 霍尔效应锁存器集成电路广泛应用于需要检测磁场变化的场景。常见的应用包括无刷直流电机的转子位置检测，用于控制电机换向；在汽车行业中，可用于检测车轮转速或节气门位置；在工业自动化中，可用于检测机械部件的运动状态或旋转方向；此外，它还可用于编码器、接近开关、速度传感器以及各种家用电器中的无接触检测系统。

A3415-EK-T, AH182-WAH-T, AH180-WAH-T