时间：2025/6/26 9:16:14
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ATP113-TL-H是一款高性能的功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用TO-252封装形式，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够有效提高系统效率并降低功耗。
ATP113-TL-H的设计使其非常适合用于需要快速开关和低损耗的应用场景，例如DC-DC转换器、电池保护电路以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
持续漏极电流Id：4.4A
导通电阻Rds(on)：85mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：1.3W
结温范围Tj：-55℃至+150℃
1. ATP113-TL-H具有非常低的导通电阻，能够在大电流条件下保持较低的功耗。
2. 器件支持高达60V的漏源电压，适用于多种中低压应用场景。
3. 高速开关性能确保其在高频电路中表现出色。
4. 内置ESD保护功能，增强了芯片在实际使用中的可靠性。
5. TO-252封装设计紧凑，便于PCB布局并提供良好的散热性能。
1. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
3. 电机驱动电路中的H桥配置或PWM调制控制。
4. 各种负载切换和保护电路中的电子开关。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电路径控制。
IRF540N, FQP17N06, BUK9N06-40E
