时间：2025/8/22 9:37:16
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ATN3580-10 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）推出的射频（RF）功率晶体管，属于 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）器件，专为高功率射频放大器应用而设计。该器件在通信基础设施、广播系统以及工业设备中广泛应用，支持高频率范围内的高效率功率放大。
类型：LDMOS 射频功率晶体管
最大漏极电流：250 mA
最大漏极-源极电压：65 V
最大栅极-源极电压：±20 V
频率范围：10 MHz - 1 GHz
输出功率：典型值为 50 W（在 900 MHz）
增益：典型值为 18 dB（在 900 MHz）
工作温度范围：-65°C 至 +150°C
封装类型：TO-270（AB）
ATN3580-10 是一款高性能 LDMOS 射频功率晶体管，具有出色的热稳定性和高可靠性，适合用于高功率密度应用。该器件的高输出功率和高增益使其成为通信系统和射频放大器的理想选择。
ATN3580-10 在宽频率范围内（10 MHz 至 1 GHz）表现出稳定的性能，适用于多种射频应用。其设计支持高线性度，有助于减少信号失真，提升信号质量。
这款晶体管具有优异的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行，延长设备寿命。此外，ATN3580-10 的封装设计优化了散热性能，使其在高功率应用中保持较低的热阻。
ATN3580-10 还具备良好的抗失真能力和高效率，适合用于现代通信系统中的高功率放大器设计。其坚固的结构和优异的电气特性使其在各种苛刻环境中都能保持稳定运行。
ATN3580-10 广泛应用于射频功率放大器、通信基础设施（如基站）、广播系统、工业设备和测试设备。其高功率输出和高增益特性使其成为需要高效、高线性度射频放大的理想选择。
MRF6VP2050N, NRD30010, ATF-10136
