电容值：6.8 pF
　　容差：±0.05 pF
　　额定电压：100 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：+5 ppm/°C ±30 ppm/°C
　　介质材料：C0G（NP0）
　　封装尺寸：0603（1.6 mm × 0.8 mm）
　　Q值：≥2500 @ 1 GHz
　　DF（耗散因子）：≤0.07% @ 1 MHz
　　自谐振频率（SRF）：>3 GHz
　　ESR（等效串联电阻）：<0.025 Ω
　　 ESL（等效串联电感）：<0.2 nH

ATL2P-6M3-Z采用ATC独有的C0G（NP0）陶瓷配方与精密叠层工艺制造，确保了电容值在宽温度范围内几乎无漂移，其温度系数控制在+5 ppm/°C ±30 ppm/°C以内，表现出极佳的热稳定性。这种材料体系不仅具备零温度系数特性，还拥有极低的非线性失真，即使在高场强下也能维持线性响应，避免产生谐波干扰或互调失真，适合用于高保真模拟信号路径。
　　该器件的Q值高达2500以上（在1 GHz测试条件下），意味着其能量损耗极小，非常适合构建高选择性LC谐振回路、低相位噪声振荡器及窄带滤波器等对品质因数敏感的应用。同时，其超低耗散因子（DF ≤ 0.07%）进一步提升了整体效率，减少了无功功率损耗和发热问题，有助于提高系统能效和长期运行稳定性。
　　得益于优化的内部电极结构和先进的端接技术，ATL2P-6M3-Z具有极低的ESL（<0.2 nH）和ESR（<0.025 Ω），使其自谐振频率超过3 GHz，能够在微波频段内保持良好的电容行为，有效支持GHz级高速信号处理需求。此外，该产品通过严格的筛选和老化测试，符合MIL-PRF-55681等军用标准，具备出色的抗湿性、抗热冲击能力和长期可靠性，适用于极端环境下的关键任务系统。
　　其0603小型化封装兼顾了高频性能与可制造性，兼容标准SMT贴片工艺，适合自动化批量生产。所有材料均符合RoHS指令要求，并可提供不含铅的特殊版本以满足特定客户的需求。整体而言，ATL2P-6M3-Z是高性能射频设计中追求极致稳定性和信号完整性的理想选择。

ATL2P-6M3-Z因其卓越的高频特性和温度稳定性，被广泛应用于高性能射频与微波电路中。典型使用场景包括但不限于：无线通信基站中的预选滤波器与匹配网络、雷达系统的本振（LO）调谐电路、卫星通信前端模块的耦合与去耦电容、测试与测量仪器（如矢量网络分析仪、频谱仪）内部的高精度校准电路。由于其低失真和高Q值特性，也常用于低相位噪声压控振荡器（VCO）和锁相环（PLL）设计中，作为关键的调谐元件以提升频率稳定性与谱纯度。
　　在航空航天与国防领域，该器件用于导弹制导系统、电子战（EW）设备、机载通信系统等对可靠性要求极高的场合。其符合军规标准的设计保证了在剧烈温度变化、振动和辐射环境下仍能稳定工作。此外，在高端医疗成像设备（如MRI射频接收链路）和科研级低温实验装置中，ATL2P-6M3-Z也被用作高频信号耦合和旁路电容，因其在低温下仍能保持稳定的电气性能而受到青睐。
　　对于需要长期部署且难以维护的远程传感节点或海底光通信中继器，该电容器的长期稳定性与低老化率可显著延长系统寿命并减少故障率。总之，凡是要求电容值高度精确、温度漂移极小、高频损耗最低的应用，ATL2P-6M3-Z都是首选解决方案之一。

ATC 200L6R8BSTU
　　AVX HQCE0603R8K6BRT
　　Murata GJM1555C1HR68BCWB
　　TDK C0GPA06036R8BAT