FDS6990A-NL是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产。该器件采用TO-252/DPAK封装,适用于多种功率转换和电机驱动应用。FDS6990A-NL具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,使其成为效率要求较高的电路的理想选择。
FDS6990A-NL的工作电压范围为30V,能够承受较高的电流负载,并且具备优异的热稳定性和电气特性,广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
最大漏源电压(V_DS):30V
最大栅源电压(V_GS):±20V
连续漏极电流(I_D):8.8A
导通电阻(R_DS(on)):45mΩ(在V_GS=10V时)
栅极电荷(Q_g):7nC
开关时间:典型值t_on=18ns,t_off=22ns
工作结温范围(T_j):-55℃至+150℃
FDS6990A-NL具有以下显著特点:
1. 低导通电阻(R_DS(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
3. 小型化TO-252/DPAK封装设计,节省PCB空间。
4. 出色的热性能,确保在高温环境下依然保持稳定运行。
5. 内置反向二极管,可有效抑制感应电压,保护电路安全。
6. 符合RoHS标准,环保无铅工艺制造。
FDS6990A-NL主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器和功率因数校正(PFC)电路。
2. DC-DC转换器和降压/升压调节器。
3. 消费类电子产品中的电池充电管理。
4. 电机驱动和控制电路。
5. 各种工业自动化设备及汽车电子系统中的功率开关元件。
6. LED驱动器和其他需要高效功率切换的应用场景。
FDS6990A,
FDP5800,
IRF7843,
AO3400