时间：2025/9/16 7:03:49
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ATF38143-TR1G 是一款由Microchip Technology（原Atmel）推出的高性能射频（RF）晶体管，专为高频和高功率应用设计。这款晶体管基于砷化镓（GaAs）异质结双极晶体管（HBT）技术制造，适用于无线通信、雷达、测试设备以及其他射频功率放大系统。ATF38143-TR1G具备高增益、高线性度以及良好的热稳定性，是许多高频应用的理想选择。
类型：射频双极晶体管（GaAs HBT）
封装类型：表面贴装（SOT-363）
最大工作频率：12 GHz
最大集电极电流：120 mA
最大集电极-发射极电压：5 V
最大功耗：300 mW
增益：> 14 dB @ 2 GHz
噪声系数：< 1.8 dB @ 2 GHz
输出功率：23 dBm @ 2 GHz
线性输出功率：20 dBm @ 1900 MHz
ATF38143-TR1G具备多项先进特性，使其适用于高性能射频系统。
首先，该器件基于GaAs HBT技术制造，具备优良的高频性能和高可靠性，适用于12 GHz以内的高频操作。其高增益特性在2 GHz下超过14 dB，使得它在低噪声放大器（LNA）和驱动放大器应用中表现出色。
其次，ATF38143-TR1G具有良好的线性度和输出功率能力，在1900 MHz下可提供高达20 dBm的线性输出功率，适用于要求高信号完整性的通信系统。此外，该晶体管在相同频率下的噪声系数低于1.8 dB，有助于提高接收器的灵敏度。
再者，该器件采用SOT-363小型封装，适合高密度PCB布局，并具备良好的散热性能。其最大集电极电流为120 mA，最大集电极-发射极电压为5 V，适用于多种低压射频系统。
最后，ATF38143-TR1G的工作温度范围宽，通常为-55°C至+150°C，适合工业级和军用级应用环境，具有良好的稳定性和耐用性。
ATF38143-TR1G广泛应用于多个高频和射频系统中，包括无线基础设施中的基站放大器、点对点微波通信设备、测试与测量仪器、雷达系统以及卫星通信设备。
在无线通信中，该晶体管常用于低噪声前置放大器和中功率驱动放大器，支持多种通信标准，如GSM、WCDMA、LTE等。
在测试设备领域，由于其高线性和宽频率响应，常被用于频谱分析仪、信号发生器和功率计等设备的射频前端。
此外，ATF38143-TR1G也适用于无线局域网（WLAN）和WiMAX等宽带通信系统的射频功率放大模块设计。
在军事和航空航天应用中，该晶体管可用于雷达发射模块和通信中继设备，其高可靠性和宽温度适应性使其在极端环境下仍能稳定运行。
ATF-54143, ATF38142, BFP420, BFU550
