电容值：4700pF (4.7nF)
　　容差：±20%
　　额定电压：35V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化 ≤ ±15%）
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.2mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　直流偏压特性：在额定电压下电容下降率较低
　　绝缘电阻：≥ 1000MΩ 或 R × C ≥ 500Ω·F
　　等效串联电阻（ESR）：低
　　介质材料：Class II 高介电常数陶瓷（BaTiO3基）
　　结构类型：多层片式陶瓷电容器（MLCC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS、AEC-Q200（部分等级适用）

UVY1V472MHD所采用的X7R陶瓷介质是一种II类电介质材料，以其良好的温度稳定性和较高的体积效率著称。在-55°C到+125°C的工作温度范围内，其电容值的变化幅度不超过±15%，这一特性使其非常适合用于需要在较宽温度环境下保持性能一致性的应用场景。相比于其他温度特性如Y5V或Z5U，X7R虽然介电常数略低，但其温度稳定性显著更优，因此成为大多数中等精度定时、滤波和耦合电路中的首选。此外，X7R材料还表现出较低的电压系数，即在不同施加直流偏压下的电容衰减相对平缓，这对于现代低压高密度电源设计尤为重要。例如，在DC-DC转换器的输出端进行滤波时，即使输入电压波动，UVY1V472MHD仍能维持较为稳定的去耦能力，减少输出纹波。
　　该器件具备出色的高频响应特性，得益于其多层结构设计和极低的等效串联电感（ESL）与等效串联电阻（ESR）。这使得它在GHz级别的高频应用中依然能够有效发挥作用，比如在射频模块中的旁路电容或高速数字电路的电源去耦网络中。低ESR意味着能量损耗小，发热少，有助于提升系统的整体能效并延长元器件寿命。与此同时，多层结构也提高了单位体积内的电容量密度，实现了“小体积、大容量”的设计目标，满足了当前电子产品向轻薄短小发展的趋势。
　　机械强度方面，UVY1V472MHD经过优化的端电极结构和内部电极排列方式，增强了其抵抗板弯和热冲击的能力。在回流焊过程中，器件能够承受多次高温循环而不易产生微裂纹；在实际使用中，即便PCB发生轻微形变，也不容易引发内部断裂导致开路或短路故障。这种高可靠性的结构设计特别适用于汽车电子、工业自动化等对安全性和耐久性要求严苛的领域。另外，该产品符合RoHS指令，不含铅及其他有害物质，支持绿色环保制造流程。

UVY1V472MHD因其优异的综合性能，被广泛应用于多个领域的电子电路中。在电源管理电路中，它常被用作DC-DC转换器、LDO稳压器的输入/输出滤波电容，起到平滑电压波动、抑制噪声干扰的作用。由于其具备良好的直流偏压特性和低ESR，能够在动态负载条件下快速响应电流变化，确保供电稳定性。在模拟信号处理电路中，该电容可用于级间耦合、交流旁路以及滤波网络，特别是在音频放大器、传感器信号调理模块中表现突出。其稳定的电容值随温度变化的特性保证了信号链路的线性度和精度不受环境影响。
　　在高速数字系统中，如微处理器、FPGA、ASIC等芯片的电源引脚附近，UVY1V472MHD可作为局部去耦电容，吸收高频开关噪声，防止电源反弹和地弹现象，从而保障数字逻辑的正常运行。这类应用通常要求电容器具有极低的等效串联电感（ESL）和快速充放电能力，而该型号凭借其紧凑的0805封装和多层陶瓷结构恰好满足这些需求。此外，在射频（RF）前端模块中，它可以用于阻抗匹配网络、LC谐振回路或带通滤波器的设计，提供精确且稳定的电容值以实现最佳信号传输效率。
　　工业控制设备、医疗仪器、通信基站、智能家居控制器等也是其典型应用场景。特别是在汽车电子领域，随着车载信息娱乐系统、ADAS辅助驾驶系统的发展，对高可靠性、宽温工作的电容器需求日益增长，UVY1V472MHD凭借其通过AEC-Q200认证的潜力（需确认具体批次规格），正逐步进入车规级应用市场。此外，其小型化封装也有利于节省PCB空间，适应高密度布局的设计需求。

GRM21BR71V472KA01L
　　CL21A472MPQNNNE
　　C2012X7R1H472K