时间：2025/9/16 5:18:49
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ATF35143-TR1G 是一款由 Microchip Technology 生产的高性能射频（RF）场效应晶体管（FET），主要用于无线通信和射频放大器应用。该器件基于 GaAs（砷化镓）技术，具有优异的高频性能和低噪声特性，适用于各种高频信号处理场景。ATF35143-TR1G 采用小型表面贴装封装，便于集成到射频电路中，广泛应用于无线基础设施、测试设备、卫星通信和微波系统等领域。
类型：射频场效应晶体管（RF FET）
晶体管类型：增强型 GaAs FET
频率范围：DC ~ 12 GHz
噪声系数：0.45 dB @ 5.8 GHz
增益：18.5 dB @ 5.8 GHz
输出功率：30 mA 漏极电流（典型值）
工作电压：3.0V ~ 12V
封装类型：SOT-363
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
ATF35143-TR1G 的最大特点之一是其宽频带性能，可以在从 DC 到 12 GHz 的频率范围内稳定工作。该器件的噪声系数低至 0.45 dB，在 5.8 GHz 频段下的增益高达 18.5 dB，非常适合低噪声放大器（LNA）应用。此外，ATF35143-TR1G 的输入和输出阻抗匹配良好，有助于减少外部匹配元件的数量，从而简化电路设计。该器件的漏极电流可调，工作电压范围宽（3.0V 至 12V），使其在不同的射频系统中具有很高的灵活性。SOT-363 小型封装不仅节省空间，还提高了电路布局的紧凑性，适用于高密度 PCB 设计。该晶体管还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温和高频环境下保持稳定性能。
ATF35143-TR1G 主要用于需要高增益、低噪声和宽频带响应的射频系统中。典型应用包括无线基站、Wi-Fi 接入点、卫星通信、微波接收器、测试与测量设备以及雷达系统。由于其优异的高频性能和低噪声特性，该器件也广泛用于 5.8 GHz ISM 频段通信系统、射频识别（RFID）设备和物联网（IoT）无线模块中。
AMMC-5041-TR1P
BFU520W
