时间：2025/9/16 12:40:03
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ATF-551M4-TR1 是由 Analog Devices（亚德诺半导体）生产的一款 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），属于低噪声放大器（LNA）系列。该器件基于砷化镓金属半导体场效应晶体管（MESFET）技术，专为高性能射频和微波应用设计。ATF-551M4-TR1 具有低噪声系数、高增益和良好的线性度，非常适合用于无线通信、雷达、测试设备和卫星通信系统等高频前端电路中。该器件采用 SOT-343 封装形式，便于表面贴装，并具备良好的热稳定性和高频响应。
频率范围：50 MHz 至 4 GHz
增益：14 dB @ 2 GHz
噪声系数：0.55 dB @ 2 GHz
输出功率1dB压缩点：15 dBm
工作电压：5 V
静态电流：50 mA
封装类型：SOT-343
输入驻波比（VSWR）：1.3:1
输出驻波比（VSWR）：1.5:1
ATF-551M4-TR1 是一款基于 GaAs MESFET 技术的低噪声放大器（LNA），在 50 MHz 至 4 GHz 的宽频率范围内提供卓越的射频性能。其低噪声系数（在 2 GHz 下仅为 0.55 dB）使其非常适合用于高灵敏度接收机前端，提升系统信号接收质量。同时，该器件在 2 GHz 下提供高达 14 dB 的小信号增益，有助于减少系统中额外的放大级需求，简化设计并降低成本。
此外，ATF-551M4-TR1 的 1 dB 压缩点输出功率为 15 dBm，表现出良好的线性度，能够在高动态范围应用中保持信号完整性。该器件工作在 5 V 电压下，静态电流为 50 mA，功耗较低，适用于便携式和电池供电设备。其输入和输出驻波比分别保持在 1.3:1 和 1.5:1，表明具有良好的阻抗匹配特性，有助于减少信号反射并提高整体系统效率。
该放大器采用紧凑的 SOT-343 封装，支持表面贴装工艺，便于集成于小型化射频模块中。由于其出色的电气性能和稳定的工作特性，ATF-551M4-TR1 被广泛应用于无线基站、测试测量仪器、卫星通信、雷达系统以及宽带通信设备中。
ATF-551M4-TR1 主要用于需要高性能低噪声放大的射频和微波系统中。其典型应用包括无线通信系统的接收前端、测试测量设备（如频谱分析仪和信号发生器）、卫星通信系统、雷达接收器以及宽带放大器模块。该器件也适用于需要高增益和低噪声系数的射频识别（RFID）系统、物联网（IoT）设备以及军事和航空航天领域的高频电子系统。
ATF-55143-TR1, BGA2707, ATF-54143, MGA-635P8
