时间：2025/9/15 20:16:32
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ATF-54143-TR2G是一款由Microchip Technology推出的高性能、高电子迁移率晶体管（HEMT）场效应晶体管（FET），适用于高频和低噪声应用。该器件采用增强型pHEMT工艺制造，具有低噪声系数、高线性度和良好的稳定性，广泛应用于无线通信、射频前端模块、低噪声放大器（LNA）等领域。
类型：高电子迁移率晶体管（pHEMT）
晶体管类型：FET
频率范围：DC至4 GHz
增益：17 dB @ 2.4 GHz
噪声系数：0.45 dB @ 2.4 GHz
输出IP3：35 dBm @ 2.4 GHz
漏极电流（ID）：120 mA @ Vds = 3.5 V
工作电压（Vds）：最大6 V
封装类型：SOT-363
工作温度范围：-40°C至+85°C
ATF-54143-TR2G采用先进的增强型pHEMT技术，使其在低电压条件下仍能保持优异的射频性能。该器件在2.4 GHz频率下具有低至0.45 dB的噪声系数，非常适合用于高灵敏度接收系统中的低噪声放大器设计。其高线性度（OIP3为35 dBm）确保在处理高动态范围信号时仍能保持良好的信号完整性，减少互调干扰。此外，ATF-54143-TR2G支持从DC到4 GHz的宽频率范围，适用于多种无线通信标准，如Wi-Fi、WiMAX、GSM、CDMA和LTE等。器件内置内部偏置电路，简化了外围电路设计，提高了设计灵活性。其SOT-363小型封装形式也适用于空间受限的高密度PCB布局。
该晶体管的漏极电流典型值为120 mA，工作电压为3.5 V，可在低功耗条件下提供优异的射频性能。ATF-54143-TR2G还具备良好的热稳定性和长期可靠性，适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保在各种环境条件下稳定运行。
ATF-54143-TR2G广泛应用于无线通信系统中的低噪声放大器（LNA）、射频前端模块、无线基础设施设备、Wi-Fi接入点、蜂窝基站、卫星通信设备、测试与测量仪器等。由于其高增益、低噪声和高线性度的特性，该器件也适用于物联网（IoT）设备、远程无线传感器和便携式通信设备中的射频信号放大。
ATF-54143-TR1G, ATF-55143, ATF-55186
