时间：2025/9/15 19:53:21
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ATF-501P8-TR2 是一款由 Analog Devices（亚德诺半导体）公司生产的高性能、低噪声、双极性晶体管（NPN型）阵列芯片，常用于射频（RF）和中频（IF）放大应用。该器件采用8引脚TSSOP封装，适用于需要高线性度和低噪声系数的通信系统设计。ATF-501P8-TR2 提供了优良的高频性能和稳定性，广泛应用于无线基础设施、基站放大器、测试仪器和射频接收机前端设计。
类型：双极性晶体管（NPN）
封装：8-TSSOP
工作频率范围：DC 至 2 GHz
最大工作电压：Vce = 10V
最大集电极电流：100mA
噪声系数（NF）：0.5dB（典型值）
增益（S21）：20dB（典型值）
输出三阶交调截点（OIP3）：+30dBm（典型值）
输入驻波比（VSWR）：1.4:1（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
ATF-501P8-TR2 是专为高性能射频和中频放大设计的低噪声晶体管阵列。该器件内部集成了两个独立的NPN型晶体管，允许设计者构建差分放大器或级联放大电路，以满足不同应用需求。其低噪声系数（NF）在典型值下仅为0.5dB，确保了在接收机前端应用中可以提供极高的信号清晰度和灵敏度。此外，该器件在2GHz频率下仍能保持良好的增益性能（S21为20dB），使其非常适合高频段通信系统使用。ATF-501P8-TR2 还具有较高的线性度，输出三阶交调截点（OIP3）为+30dBm，能够有效减少非线性失真，提升系统整体动态范围。其输入驻波比（VSWR）为1.4:1，表明其具有良好的输入匹配特性，减少了信号反射和损耗。该器件采用小型化的8-TSSOP封装，节省PCB空间，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适合工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C）。
ATF-501P8-TR2 的供电电压范围为10V（Vce），最大集电极电流为100mA，能够在低功耗条件下提供出色的放大性能。这种特性使其在便携式或电池供电设备中也具有良好的适应性。由于其内部集成两个晶体管，用户可以灵活配置为单端或差分放大结构，以满足不同应用场景的电路设计需求。
ATF-501P8-TR2 主要应用于射频接收机前端、无线基站、测试测量设备、中频放大器、低噪声放大器（LNA）、射频通信系统和工业控制系统等领域。其高线性度和低噪声特性使其成为无线基础设施和高性能接收机设计的理想选择。此外，该器件也适用于要求高稳定性和低功耗的便携式通信设备。
ATF-54143、ATF-55144、BFP420、BFU520
