时间：2025/9/15 7:02:26
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ATF-35176 是一款由 Analog Devices（亚德诺半导体）公司推出的 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），专为高频和低噪声应用设计。该器件在性能上具有出色的低噪声系数和高线性度，适用于无线通信系统、射频接收前端、测试仪器以及其他需要高性能射频放大的场合。ATF-35176 采用 E-pHEMT（增强型假晶高电子迁移率晶体管）技术，使其在高频段依然具备优异的噪声和增益表现。
工作频率：50 MHz 至 6 GHz
噪声系数（典型值）：0.45 dB @ 2 GHz
增益（典型值）：17.5 dB @ 2 GHz
输出三阶交调截点（OIP3）：33 dBm @ 2 GHz
工作电压：5 V
静态工作电流：80 mA
封装类型：SOT-343
ATF-35176 的主要特性包括极低的噪声系数和高增益，适用于射频信号的低噪声放大。其 E-pHEMT 技术确保了在高频应用中依然具备出色的性能表现，同时具有良好的线性度和稳定性。
该器件的高输入阻抗和低输出反射系数使其易于集成到各种射频电路中，减少匹配网络的复杂性。ATF-35176 的设计还支持在宽频带范围内工作，适用于多种通信标准，如 GSM、CDMA、W-CDMA 和 LTE 等。
此外，ATF-35176 在工作电压和电流方面具有较低的要求，有助于降低系统功耗并提高可靠性。其 SOT-343 封装形式小巧，适合在高密度 PCB 设计中使用。
ATF-35176 主要用于无线通信系统中的射频接收前端，例如蜂窝基站、Wi-Fi 接收器和射频测试设备。它还适用于卫星通信、医疗成像设备以及需要高灵敏度信号放大的精密仪器。此外，由于其宽频带特性和低功耗设计，该器件在便携式通信设备和物联网（IoT）应用中也具有广泛的用途。
ATF-34143, ATF-35143, BGA2807
