时间:2025/12/28 9:47:57
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ATE2P-6M是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,广泛应用于电源管理、信号整流和保护电路中。该器件采用双二极管配置,封装形式为SOT-23(Small Outline Transistor),具有体积小、功耗低、响应速度快等优点,适合在高密度印刷电路板(PCB)设计中使用。ATE2P-6M中的“ATE”代表产品系列,“2P”表示内部集成了两个独立的肖特基二极管,“6M”通常指其反向耐压为60V,最大平均整流电流为200mA。该器件特别适用于低压直流电路中的防反接、电压钳位、续流保护以及高频开关电源等场景。由于其低正向导通电压(VF)特性,ATE2P-6M能够有效降低功耗,提升系统效率,是便携式电子设备、消费类电子产品和工业控制模块中的常用元件之一。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,具备良好的热稳定性和长期可靠性。
类型:双肖特基二极管
极性:双阳极共阴极(Common Cathode)
最大重复反向电压(VRRM):60V
最大直流阻断电压(VR):60V
平均整流电流(IO):200mA
峰值浪涌电流(IFSM):1.25A
正向压降(VF):典型值0.38V(在10mA时),最大值0.55V(在200mA时)
反向漏电流(IR):最大5μA(在60V、25°C时)
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23
安装方式:表面贴装(SMD)
ATE2P-6M的核心特性之一是其采用肖特基势垒技术,这种结构利用金属与半导体之间的势垒形成PN结,显著降低了正向导通电压。相比传统的硅PN结二极管,ATE2P-6M在相同电流下的VF更低,通常在10mA时仅为0.38V左右,在200mA时也不超过0.55V。这一特性使其在低电压、小电流应用中表现出色,有助于减少功率损耗并提高整体能效。尤其在电池供电设备中,如智能手机、可穿戴设备和物联网传感器节点,降低VF意味着更长的续航时间和更少的发热。
另一个重要特性是其快速开关能力。由于肖特基二极管属于多数载流子器件,不存在少数载流子的存储效应,因此反向恢复时间极短,几乎可以忽略不计。这使得ATE2P-6M非常适合用于高频整流、开关电源中的续流二极管或箝位电路,能有效防止因电感负载突然断电而产生的高压尖峰损坏敏感IC。此外,其双二极管结构允许在单个SOT-23封装内实现多种功能配置,例如共阴极连接可用于双路输出整流,也可作为双向信号保护使用。
ATE2P-6M还具备良好的热性能和稳定性。尽管其封装小巧,但在合理布局的PCB设计下仍能有效散热,确保在-55°C至+125°C的工作结温范围内可靠运行。器件的反向漏电流在常温下控制在5μA以内,即使在高温环境下也保持较低水平,减少了静态功耗。同时,该器件通过了严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储(HTSL)和温度循环等,确保在恶劣环境下的长期稳定性。其符合AEC-Q101汽车级认证的部分批次产品还可用于车载电子系统。
ATE2P-6M广泛应用于各类需要高效、小型化整流与保护功能的电子系统中。在电源管理领域,它常被用作低压直流适配器的输出整流二极管,特别是在多路输出电源中,双二极管结构可简化布线并节省空间。在同步整流无法实现的小功率开关电源中,ATE2P-6M凭借其低VF优势成为理想的续流二极管选择,用于BUCK、BOOST等拓扑结构中,帮助提升转换效率。
在消费类电子产品中,该器件常见于USB接口的电源路径管理,起到防反接和过压保护的作用。例如,在Type-C或Micro USB充电电路中,ATE2P-6M可用于隔离主电源与备用电源,或防止外部静电放电(ESD)通过电源线侵入主控芯片。此外,其快速响应特性也使其适用于高速信号线路的瞬态电压抑制(TVS)辅助保护,尤其是在数字通信接口如I2C、SPI总线上,用于钳制感应电压尖峰。
工业控制和自动化设备中,ATE2P-6M常用于继电器或电磁阀驱动电路的续流保护。当线圈断电时,会产生反向电动势,ATE2P-6M可为该电流提供泄放路径,避免高电压击穿驱动晶体管。其SOT-23封装便于自动化贴片生产,适合大规模制造。此外,在电池管理系统(BMS)、LED驱动电路和传感器信号调理模块中,ATE2P-6M也发挥着关键作用,提供可靠的单向导通和电压钳位功能,保障系统安全稳定运行。
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"BAT54C",
"RB751S-60",
"DMK14DUMHZ",
"NSR20F60NXT5G",
"PMG280EP"
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