时间：2025/12/28 9:36:38
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ATE1D-2M3-10是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），主要用于保护敏感电子电路免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）以及其他瞬态过电压事件的损害。该器件采用微型表面贴装封装，适用于高密度印刷电路板布局，广泛应用于便携式消费类电子产品、通信设备以及工业控制领域。ATE1D-2M3-10集成了多个TVS二极管，能够同时为多条信号线提供可靠的双向或单向过压保护，具备低电容特性，确保对高速数据线路的影响最小化。该器件符合RoHS和无卤素要求，适合现代绿色电子制造工艺。其设计目标是在不影响信号完整性的情况下，提供快速响应和高效能量吸收能力，从而延长终端产品的使用寿命并提高系统可靠性。
型号：ATE1D-2M3-10
制造商：Littelfuse
通道数：4通道
工作电压（VRWM）：2.3V
击穿电压（VBR）：最小2.6V，典型值2.8V
钳位电压（VC）：最大9V（在IPP=1A条件下）
峰值脉冲电流（IPP）：1A（8/20μs波形）
寄生电容：每通道典型值4pF
极性：双向
封装类型：SOD-523
安装方式：表面贴装（SMD）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C（TJ）
ESD耐受能力：±15kV空气放电，±8kV接触放电（IEC 61000-4-2 Level 4）
ATE1D-2M3-10具有出色的瞬态抑制性能，能够在纳秒级时间内响应过电压事件，有效防止ESD和其他瞬态干扰对下游集成电路造成损伤。其低反向工作电压（2.3V）使其特别适用于3.3V及以下供电的低压逻辑电路，如USB接口、I2C总线、GPIO引脚等。每个通道均具备非常低的结电容（典型值4pF），这一特性对于保持高速信号完整性至关重要，避免因电容负载过大而导致信号失真或带宽下降。
该器件采用双向极性设计，可应对正负方向的瞬态电压冲击，增强了系统的适应性和安全性。其SOD-523小型封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提升组装效率。此外，器件内部结构经过优化，具有较低的动态电阻，从而实现更低的钳位电压，在相同浪涌电流下提供更优的保护效果。
ATE1D-2M3-10通过了IEC 61000-4-2 Level 4标准认证，表明其具备工业级抗扰度能力，适用于严苛电磁环境下的应用。同时，它也符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，可用于车载电子模块中的信号线保护。器件的热稳定性良好，在连续多次浪涌冲击后仍能保持性能稳定，不易发生老化或退化现象。
另一个关键优势是其低漏电流特性，在正常工作状态下几乎不消耗额外功耗，有利于电池供电设备延长待机时间。综合来看，ATE1D-2M3-10是一款高性能、小尺寸、低功耗的TVS阵列器件，非常适合用于现代便携式电子产品中对空间和能效有严格要求的应用场景。
ATE1D-2M3-10广泛应用于各类需要高等级ESD保护的电子系统中，尤其是在高速低电压信号线路中表现优异。常见应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的USB 2.0数据线保护、HDMI接口、音频插孔、触摸屏控制器连接线以及MCU的GPIO端口防护。
在通信领域，该器件可用于以太网PHY芯片前端、RS-232/RS-485接口、CAN总线节点等场合，抵御来自外部连接器引入的静电和瞬态干扰。其低电容特性保证了信号传输速率不受影响，支持高达数百Mbps的数据通信。
在工业控制系统中，ATE1D-2M3-10可用于PLC输入输出模块、传感器接口、编码器信号线等位置，提升系统在复杂电磁环境下的运行稳定性。此外，在汽车电子中，如车载信息娱乐系统、ADAS传感器接口、车内网络通信线路等，也可使用该器件进行信号保护，满足车规级EMC要求。
由于其符合RoHS和无卤素规范，ATE1D-2M3-10也适用于出口型电子产品和对环保要求较高的项目中。总体而言，该器件适用于所有需要紧凑型、高效能、多通道瞬态电压保护的电子设计场景。
RCLAMP0524P
TPD1E101B01
ESD7054NXP
