AT3415GE 时间：2025/12/26 22:44:22 阅读：15

AT3415GE是一款由Advanced Analogic Technologies（AAT）推出的高效率、低功耗同步降压型直流-直流转换器芯片，广泛应用于便携式设备和对空间与能效有较高要求的电子系统中。该器件采用恒定导通时间（COT）控制模式，能够在输入电压和负载条件变化时实现快速瞬态响应，同时保持输出电压的稳定性。AT3415GE集成了主开关管和同步整流管，减少了外部元器件数量，有助于简化电源设计并节省PCB布局空间。其宽输入电压范围使其适用于多种供电场景，包括单节或多节锂电池供电系统以及标准3.3V或5V电源轨。该芯片采用小型化封装，适合对尺寸敏感的应用，如智能手机、平板电脑、物联网终端设备、可穿戴设备以及其他需要高效电源管理的嵌入式系统。内置保护机制包括过流保护、过温保护和输出短路保护，增强了系统的可靠性与安全性。此外，AT3415GE在轻载条件下自动进入省电模式，有效提升整体转换效率，延长电池使用寿命。

参数

工作输入电压范围：2.7V ~ 5.5V
　　输出电压范围：0.6V ~ 3.6V（可调）
　　最大连续输出电流：1.5A
　　静态电流：典型值30μA
　　关断电流：小于1μA
　　开关频率：典型值1.5MHz
　　反馈参考电压：0.6V ±1%
　　占空比范围：0% ~ 100%
　　控制方式：恒定导通时间（COT）
　　工作结温范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：DFN-8（2mm×2mm）
　　集成功率MOSFET：上管和下管均集成
　　负载调整率：±2%
　　线性调整率：±0.5%

特性

AT3415GE采用恒定导通时间（COT）控制架构，具备优异的瞬态响应能力，能够迅速应对负载电流的突变，维持输出电压稳定，避免因动态负载导致的电压跌落或过冲。该控制方式无需环路补偿设计，简化了外部电路配置，降低了设计复杂度。芯片内部集成了低导通电阻的P沟道高压侧MOSFET与N沟道低压侧同步整流MOSFET，显著提升了转换效率，满载条件下典型效率可达95%以上。高频开关操作（1.5MHz）使得可以使用小型电感和陶瓷电容，进一步缩小整体电源解决方案的尺寸。在轻载运行时，AT3415GE自动切换至脉冲跳跃模式，降低开关损耗，提高轻载效率，特别适用于待机或低功耗工作状态下的应用。
　　该器件具备完善的保护功能，包括逐周期过流保护、打嗝模式短路保护以及热关断保护。当输出发生短路或过流故障时，芯片会限制输出电流并进入间歇工作模式，防止损坏自身及外围元件。热关断功能在结温超过安全阈值时自动关闭输出，待温度下降后自动恢复，确保长期工作的可靠性。此外，AT3415GE具有软启动功能，控制启动过程中的浪涌电流，避免输入电压塌陷。其DFN-8封装具有优良的散热性能，配合适当的PCB布局可有效传导热量。芯片还支持使能（EN）引脚控制，实现远程开/关功能，便于系统进行电源管理调度。所有这些特性共同使AT3415GE成为高性能、高集成度的DC-DC解决方案的理想选择。

应用

AT3415GE适用于多种低功耗、高效率的电源转换场景，常见于便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备，为处理器、传感器、无线模块等提供稳定的电源供应。由于其小尺寸封装和高集成度，也广泛用于空间受限的物联网节点、无线传感器网络和智能家居终端中。此外，该芯片可用于工业手持设备、医疗监测仪器、便携式测试仪表等需要长续航和高可靠性的系统。在通信领域，AT3415GE可为Wi-Fi模块、蓝牙模组、Zigbee收发器等射频单元提供干净高效的电源轨。其宽输入电压范围和良好的负载响应特性也使其适用于由单节锂离子电池或双节碱性电池供电的设备，在电池放电过程中仍能维持稳定输出。同时，该器件也可作为FPGA、ASIC或MCU核心电压的辅助电源，满足现代数字系统对多路电源的需求。